| 主权项 |
1.一种内电路检测方法,其主要系令检测平台将复数个具有高密度测试接点之检测装置选定排列成一检测面,使被测物与检测平台触接检测内电路时,被测物上之任一电路接点皆有与其对应触接之若干金属测试接点,令每一电路接点藉由电脑设备控制检测装置上之金属测试接点进行讯号导通而获逐一检测之作用。2.如申请专利范围第1项所述内电路检测方法及其运用之检测装置,令检测平台之各检测装置均配线导接至电脑设备以程式控制。3.一种检测内电路之检测装置,主要系由晶片与一具有弹簧机构之基座所组成,令晶片表面之选定处封装排列有复数个金属测试接点,使各金属测试接点透过封装晶片之制程而与晶片内之积体电路接连导通,而晶片乃适当地结合设置于该基座之顶端面,籍此以架构成一检测装置者。4.如申请专利范围第3项所述检测内电路之检测装置,该金属测试接点系以高密度之选定排列方式设置于晶片表面者。5.如申请专利范围第3项所述检测内电路之检测装置,该检测装置系配线导接至电脑设备而以程式控制。6.如申请专利范围第3项所述检测内电路之检测装置,令被测物与两检测平台之检测面盘间各增设有一导电薄膜。7.如申请专利范围第3项所述检测内电路之检测装置,该基座系可选定排列布设于检测平台上,使之架构成一大型高密度测试接点之检测面盘者。图式简单说明:第一图所示为本发明中晶片之放大立体示意图。第二图所示为本发明中以检测装置构成检测面盘之布设示意图。第三图所示为本发明之检测设备配置图。第四图所示为本发明配合导电薄膜之实施状态示意图。第五图所示为本发明中导电薄膜之实施态状剖面示意图。第六图所示为习见以探针实施检测之结构剖面示意图。 |
