晶座

摘要

一种晶座，包括：一陶瓷本体；一射频电极，设于该陶瓷本体之中；一加热器，设于该陶瓷本体之中，并与该射频电极间隔一预定距离，被设于该射频电极之下；以及一射频遮罩，由金属材料制成，该射频遮罩接地，并设于该陶瓷本体之中，该射频遮罩设于该射频电极以及该加热器之间，且不与该加热器或是该射频电极接触。当一射频能量被施加于该射频电极时，其能将射频杂讯对该加射器的影响降到最低。因此，由于该射频能量能于该晶座被高温加热时施加于该晶座，其能沉积一高密度薄膜并同时控制该薄膜的特性，例如应力以及阶梯覆盖率。此外，本发明亦可提供动力系统的稳定性。

主权项

1.一种晶座,包括:一陶瓷本体;一射频电极,设于该陶瓷本体之中;一加热器,设于该陶瓷本体之中,并与该射频电极间隔一预定距离,设于该射频电极之下;以及一射频遮罩,由金属材料制成,该射频遮罩接地,并设于该陶瓷本体之中,该射频遮罩设于该射频电极以及该加热器之间,且并不与该射频电极或该加热器接触。2.如申请专利范围第1项之晶座,其中,该陶瓷本体由AlN或Al2O3形成。3.如申请专利范围第1项之晶座,其中,该射频遮罩由SUS、钼(Mo)或是钨(W)等高温电阻材料所组成。4.如申请专利范围第1项之晶座,其中,该射频遮罩是由一金属板、一网或是包覆一薄膜于该陶瓷本体上而形成。5.如申请专利范围第4项之晶座,其中,当该射频遮罩是由包覆一薄膜于该陶瓷本体上而形成时,该薄膜的厚度可为0.1nm至0.5nm。6.如申请专利范围第4项之晶座,其中,当该射频遮罩是由该网所形成时,该网包括复数网洞,该等网洞的尺寸可以为每英寸5或100个网洞。7.如申请专利范围第1项之晶座,其中,该射频遮罩覆盖该加热器。8.如申请专利范围第7项之晶座,其中,该射频遮罩形成为一圆筒状。图式简单说明:第1图系显示传统的电浆化学气相沉积设备示意图;第2图系显示依据本发明一实施例的一晶座的示意图;第3A至3D图系显示本发明晶座的各种实施例。