发明名称 有机发光二极体装置
摘要 一种有机发光二极体装置,包括一基板、一第一电极、一第二电极及一发光层。第一电极及第二电极相互隔开地设置于基板之表面上,发光层设置于第一电极及第二电极上,发光层之二端对应地与第一电极及第二电极耦接。
申请公布号 TWI267320 申请公布日期 2006.11.21
申请号 TW094136729 申请日期 2005.10.20
申请人 奇晶光电股份有限公司;奇美电子股份有限公司 CHI MEI OPTOELECTRONICS CORP. 台南县台南科学园区奇业路1号 发明人 王俊富;谢敏男;陈国华
分类号 H05B33/12(2006.01) 主分类号 H05B33/12(2006.01)
代理机构 代理人 林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项 1.一种有机发光二极体(organic light emitting diode, OLED)装置,包括:一基板;一第一电极及一第二电极,相互隔开地设置于该基板之表面上;以及一发光层,设置于该第一电极及该第二电极上,该发光层之二端对应地与该第一电极及该第二电极耦接。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该第一电极及该第二电极分别为一阳极及一阴极。3.如申请专利范围第2项所述之装置,更包括:一电洞源,设置于该阳极与该发光层之间。4.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该电洞源为一电洞传输层(hole transport layer, HTL)。5.如申请专利范围第3项所述之装置,其中该电洞源更包括:一电洞注入层(hole injection layer, HIL),设置于该阳极及该发光层之间;以及一电洞传输层,设置于该发光层与该电洞注入层之间。6.如申请专利范围第2项所述之装置,其中更包括:一电子源,设置于该发光层与该阴极之间。7.如申请专利范围第6项所述之装置,其中该电子源为一电子传输层。8.如申请专利范围第6项所述之装置,其中该电子源更包括:一电子注入层(electron injection layer, EIL),设置于该阴极及该发光层之间;以及一电子传输层(electron transport layer. ETL),设置于该发光层与该电子注入层之间。9.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该阴极之材料包含镁或银,该阳极之材料包含铟锡氧化物(indium tin oxide, ITO)。10.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该基板为玻璃基板、塑胶基板、陶瓷基板、绝缘基板或可挠性基板。11.如申请专利范围第1项所述之装置,更包括:一绝缘层,设置于该第一电极及该第二电极之间。12.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该绝缘层包含光间隔物(photo spacer)材料。13.如申请专利范围第1项所述之装置,更包括:一保护层,设置于该基板之上,用以覆盖该发光层、该第一电极及该第二电极。14.一种有机发光二极体装置,包括:一基板;一阳极及一阴极,相互隔开地设置于该基板之表面上;一电洞注入层,设置于该阳极上;一电洞传输层,设置于该发光层与该电洞注入层之间;一电子传输层,设置于该阴极上,并与该电洞注入层及该电洞传输层相互隔开;一发光层,设置于该电洞传输层及该电子传输层上,该发光层之二端对应地与该电洞传输层及该电子传输层耦接;以及一保护层,设置于该基板之上,用以覆盖该发光层、该阳极、该阴极、该电子传输层、该电洞传输层及该电洞注入层。15.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该阴极之材料包含镁或银,该阳极之材料包含铟锡氧化物。16.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该基板为玻璃基板、塑胶基板、陶瓷基板、绝缘基板或可挠性基板。17.如申请专利范围第14项所述之装置,更包括:一绝缘层,设置于该阳极、该阴极、该电洞传输层、该电洞注入层及该电子传输层之间。18.如申请专利范围第17项所述之装置,其中该绝缘层包含光间隔物材料。图式简单说明:第1图绘示传统之有机发光二极体的结构剖面图;第2图绘示本发明实施例一之有机发光二极体装置的结构剖面图;第3A~3F图绘示本发明实施例一之有机发光二极体装置的制程剖面图;第4图绘示本发明实施例二之有机发光二极体装置的结构剖面图;以及第5A~5H图绘示本发明实施例二之有机发光二极体装置的制程剖面图。
地址 台南科学工业园区奇业路1号