| 主权项 |
1.一种微结构元件,至少包含:一半导体基材;一单体微结构元件特征,耦合于该半导体基材,设定至少一部份的该单体微结构元件特征相对移动于该半导体基材;以及一导电结构,直接位于至少一部份的该单体微结构元件特征上。2.如申请专利范围第1项所述之微结构元件,其中该单体微结构元件特征至少包含该半导体基材之悬臂延伸部。3.如申请专利范围第1项所述之微结构元件,其中该单体微结构元件特征至少包含该半导体基材之半导体材质。4.如申请专利范围第1项所述之微结构元件,其中该半导体基材至少包含单晶矽。5.如申请专利范围第1项所述之微结构元件,其中该单体微结构元件特征及该半导体基材具有相对排列之侧壁,以及其中该导电结构直接位于至少一部份的包含一侧壁之该单体微结构元件特征上。6.如申请专利范围第5项所述之微结构元件,更包含另一导电结构,直接置于该半导体基材的侧壁上,以与该导电结构形成一电容于该单体微结构元件特征上。7.如申请专利范围第1项所述之微结构元件,其中该导电结构至少包含氮化钛。8.如申请专利范围第1项所述之微结构元件,其中该导电结构至少包一导电层,该导电层具有几近平滑的曝露表面。9.如申请专利范围第1项所述之微结构元件,其中该单体微结构元件特征至少包含一微机电系统致动器。10.一种微结构元件,至少包含:一半导体基材;一微结构元件特征,耦合于该半导体基材,设定至少一部份的该微结构元件特征相对移动于该半导体基材;以及一氮化钛结构,耦合于至少一部份的该微结构元件特征上。11.如申请专利范围第10项所述之微结构元件,其中该微结构元件特征至少包含该半导体基材之悬臂延伸部。12.如申请专利范围第10项所述之微结构元件,其中该微结构元件特征至少包含该半导体基材之半导体材质。13.如申请专利范围第10项所述之微结构元件,其中该微结构元件特征及该半导体基材具有相对排列之侧壁,以及其中该氮化钛结构直接位于该微结构元件特征之一侧壁上。14.如申请专利范围第10项所述之微结构元件,更包含另一氮化钛结构,直接位于该半导体基材的侧壁上,以与该氮化钛结构形成一电容于该微结构元件特征上。15.如申请专利范围第10项所述之微结构元件,其中该微结构元件特征至少包含一单体结构。16.如申请专利范围第10项所述之微结构元件,其中该氮化钛结构直接位于该微结构元件特征之主体半导体基材材质上。17.一种微结构元件,至少包含:一半导体基材,具有一侧壁;一微结构元件特征,具有一邻接且与该半导体基材的该侧壁分离之侧壁,其中设定至少一部份的该微结构元件特征相对移动于该半导体基材;以及一相对排列的电极,分别直接位于该半导体基材的包含半导体材质之该侧壁,及该微结构元件特征的包含半导体材质之该侧壁,以形成一电容。18.如申请专利范围第17项所述之微结构元件,其中该微结构元件特征至少包含该半导体基材之悬臂延伸部。19.如申请专利范围第17项所述之微结构元件,其中该微结构元件特征至少包含该半导体基材之半导体材质。20.如申请专利范围第17项所述之微结构元件,其中该微结构元件特征至少包含一单体结构。21.如申请专利范围第17项所述之微结构元件,其中该相对排列的电极至少包含一氮化钛。22.一种形成微结构元件的方法,该方法至少包含下列步骤:形成一单体微结构元件特征,以耦合于一半导体基材;提供一导电结构,该导电结构直接位于至少一部份的该单体微结构元件特征上;以及松脱该半导体基材的该单体微结构元件特征。23.如申请专利范围第22项所述之形成微结构元件的方法,其中该形成步骤以及该松脱步骤形成至少包含该半导体基材之悬臂延伸部的微结构元件特征。24.如申请专利范围第22项所述之形成微结构元件的方法,其中该形成步骤至少包含形成该微结构元件特征以包含该半导体基材之半导体材质。25.如申请专利范围第22项所述之形成微结构元件的方法,其中该提供步骤至少包含提供该导电结构于该微结构元件特征的侧壁,以及更包含提供另一导电结构直接于该半导体基材的一侧壁,该半导体基材的该侧壁与该微结构元件特征的该侧壁相对排列,以形成一电容。26.如申请专利范围第22项所述之形成微结构元件的方法,其中该提供步骤至少包含提供包含有氮化钛之该导电结构。27.如申请专利范围第22项所述之形成微结构元件的方法,其中该提供步骤至少包含使用化学气相沉积法提供该导电结构。28.如申请专利范围第22项所述之形成微结构元件的方法,其中该松脱步骤发生于该提供步骤之后。29.一种形成微结构元件的方法,该方法至少包含下列步骤:形成一微结构元件特征,以耦合于一半导体基材;进行化学气相沉积法,以沉积一导电结构于至少一部份的该微结构元件特征与该基材上;以及松脱该半导体基材的至少一部份的该微结构元件特征。30.如申请专利范围第29项所述之形成微结构元件的方法,其中该形成步骤至少包含形成包含一单体结构之该微结构元件特征,以及该沉积步骤至少包含沉积直接于该单体结构上。31.如申请专利范围第29项所述之形成微结构元件的方法,其中该形成步骤以及该松脱步骤至少包含提供包含该半导体基材之悬臂延伸部的微结构元件特征。32.如申请专利范围第29项所述之形成微结构元件的方法,其中该形成步骤至少包含形成该微结构元件特征以包含该半导体基材之半导体材质。33.如申请专利范围第29项所述之形成微结构元件的方法,其中该沉积步骤至少包含沉积该导电结构于该微结构元件特征的侧壁,以及更包含利用化学气相沉积法沉积另一导电结构直接于该半导体基材的一侧壁,该半导体基材的该侧壁与该微结构元件特征的该侧壁相对排列,以形成一电容。34.如申请专利范围第29项所述之形成微结构元件的方法,其中该沉积步骤至少包含沉积氮化钛。35.一种形成微结构元件的方法,该方法至少包含下列步骤:提供一半导体基材;形成一微结构元件特征,该微结构元件特征使用该半导体基材且至少包含该半导体基材之材质;提供一导电结构,该导电结构直接位于至少一部份的该微结构元件特征上之该半导体基材之材质;以及松脱该半导体基材的该微结构元件特征。36.一种形成微结构元件的方法,该方法至少包含下列步骤:形成复数个沟渠于一半导体基材中,以定义一微结构元件特征,该半导体基材与该微结构元件特征具有相对的侧壁;分别形成导电结构直接于分别部份的该半导体基材与该微结构元件特征的包含半导体材质之该相对侧壁;以及过切至少一部份的该微结构元件特征,以松脱该半导体基材的该微结构元件特征,使得该部份的该微结构元件特征相对移动于该半导体基材。37.如申请专利范围第36项所述之形成微结构元件的方法,其中分别形成该导电结构的步骤至少包含形成氮化钛结构。38.一种形成微机电装置的方法,至少包含下列步骤:提供一半导体基材;形成复数个具有下表面之沟渠于该半导体基材内,以定义一微机电元件特征于该些沟渠之间,该半导体基材及该微结构元件特征具有复数个相对侧壁;利用化学气相沈积法形成一氮化钛层于至少一部份的该半导体基材上表面、该半导体基材与该微结构元件特征的该相对侧壁上以形成电容电极以及该些下表面上;移除该些沟渠的该些下表面上之该该氮化钛;以及过切至少一部份的该微结构元件特征,以松脱该半导体基材的该微结构元件特征,使得该部份的该微结构元件特征相对移动于该半导体基材。39.如申请专利范围第1项所述之微结构元件,其中该导电结构直接位于至少该部份的包含一均质结构之该微结构元件特征上。40.如申请专利范围第1项所述之微结构元件,其中该导电结构直接位于半导体材质的该微结构元件特征上。41.如申请专利范围第1项所述之微结构元件,其中该导电结构直接位于主体半导体基材材质的该微结构元件特征上。42.如申请专利范围第22项所述之形成微结构元件的方法,其中该提供步骤至少包含提供该导电结构直接于至少该部份的包含一均质结构之该微结构元件特征上。43.如申请专利范围第22项所述之形成微结构元件的方法,其中该提供步骤至少包含提供该导电结构直接于半导体材质的该微结构元件特征上。44.如申请专利范围第22项所述之形成微结构元件的方法,其中该提供步骤至少包含提供该导电结构直接于主体半导体基材材质的该微结构元件特征上。45.如申请专利范围第35项所述之形成微结构元件的方法,其中该提供步骤至少包含提供该导电结构直接于至少一部份的包含一均质结构之该微结构元件特征上,该均质结构包含半导体材质。46.如申请专利范围第35项所述之形成微结构元件的方法,其中该提供步骤至少包含提供该导电结构直接于至少该部份的包含主体半导体基材材质之半导体材质上。图式简单说明:第1-11图绘示传统微结构元件之制程步骤;第12-20图绘示依据本发明微结构元件之制程步骤;以及第21图绘示依据本发明第12-20图之示范微结构元件实施态样之透视图。 |
