| 主权项 |
1.一种薄膜形成装置之洗净方法,系对薄膜形成装 置之反应室内供给处理气体并于被处理体上形成 薄膜后,去除装置内部所附着之附着物之薄膜形成 装置之洗净方法,而其特征为:具备有: 将前述反应室内加热为既定之温度之加热过程;及 对经由前述加热过程加热为既定之温度之反应室 内,供给包含有氟气及能促进该氟气之活性化之添 加气体之洗净气,并加热该洗净气为既定之温度以 使洗净气中所含之氟气活性化,使用该经活性化之 氟气而去除前述附着物以洗净薄膜形成装置内部 之洗净过程, 于前述洗净过程中,对反应室内供给包含有氟气; 及能促进氟气之活性化,并且藉由该氟气,不致降 低因该氟气所引起之前述附着物与前述薄膜形成 装置内部之材料之间之选择比,而能升高对前述附 着物之蚀刻率之添加气体之洗净气,藉以去除前述 附着物并洗净薄膜形成装置, 添加气,系由氯气、氟化氢气、氨气、或氢气所构 成。 2.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中于前述洗净过程中,在经加热为既定之温 度之反应室内供给包含有氟气及氯气之洗净气,藉 以去除前述附着物并洗净薄膜形成装置内部者。 3.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中于前述洗净过程中,对经加热为既定之温 度之反应室内供给包含有氟气及氟化氢气之洗净 气,藉以去除前述附着物并洗净薄膜形成装置内部 者。 4.如申请专利范围第1或3项之薄膜形成装置之洗净 方法,其中使前述氟气与前述氟化氢气,按其流量 比能成为1:3至3:1之范围之方式包含于前述洗净气 内者。 5.如申请专利范围第4项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中使前述氟气与前述氟化氢气,按其流量比 能成为1:1之方式包含于前述洗净气内者。 6.如申请专利范围第5项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中对前述反应室内,各供给前述氟气及前述 氟化氢气2公升/分钟者。 7.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中于前述洗净过程中,对经加热为既定温度 之反应室内供给包含有氟气及氨气之洗净氢,藉以 去除前述附着物并洗净薄膜形成装置内部者。 8.如申请专利范围第7项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中使前述氟气与前述氨气,按其流量比能成 为2:1至10:1之范围内之方式包含于前述洗净气内者 。 9.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中前述洗净过程中,对经加热为既定之温度 之反应室内供给包含有氟气及氢气之洗净气,藉以 去除前述附着物并洗净薄膜形成装置内部者。 10.如申请专利范围第9项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中使前述氟气与前述氢气,按其流量比能成 为5:1至5:3之范围内之方式包含于前述洗净气内者 。 11.如申请专利范围第10项之薄膜形成装置之洗净 方法,其中使前述氟气与前述氢气,按其流量比能 成为5:3之方式包含于前述洗净气内者。 12.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中前述薄膜形成装置内部之材料,包含有石 英及碳化矽中之至少一种者。 13.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中于前述加热过程中,将前述反应室内加热 为较400℃为低之温度者。 14.如申请专利范围第13项之薄膜形成装置之洗净 方法,其中于前述加热过程中,将前述反应室内加 热为250℃至380℃者。 15.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中于前述洗净过程中,使用稀释气体以稀释 前述洗净气,并将该经稀释之洗净气供给于前述反 应室内者。 16.如申请专利范围第15项之薄膜形成装置之洗净 方法,其中为前述稀释气体而使用惰性气体者。 17.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置之洗净方 法,其中前述被处理体上所形成之薄膜系矽氮化膜 ,而 于前述洗净过程中,使用前述洗净气以去除当前述 被处理体上形成矽氮化膜时在薄膜形成装置内部 所附着之氮化矽者。 18.一种薄膜形成装置之洗净方法,系对薄膜形成装 置之反应室内供给处理气体以排出反应室内之气 体于排气管内并于被处理体上形成薄膜后,去除排 气管内部所附着之附着物之薄膜形成装置之洗净 方法,而其特征为:具备有 将前述排气管内加热为既定之温度之加热过程;及 对经由前述加热过程加热为既定之温度之排气管 内,供给包含有氟气及能促进该氟气之活性化之添 加气体之洗净气,并加热该洗净气为既定之温度以 使洗净气中所含之氟气活性化,使用该经活性化之 氟气而去除前述附着物以洗净排气管内部之洗净 过程。 19.如申请专利范围第18项之薄膜形成装置之洗净 方法,其中洗净气系从反应室对排气管内所供给者 。 20.如申请专利范围第18项之薄膜形成装置之洗净 方法,其中洗净气从排气管之入口通道对排气管内 所供给者。 图式简单说明: 第1图:本发明之实施形态之热处理装置之洗净方 法所用之热处理装置之概略图。 第2图:表示为说明本发明之实施形态之热处理装 置之洗净方法之时间定序(recipe)之图。 第3图:表示将氯气用为添加气体时之热处理装置 之洗净方法之洗净条件及结果之表。 第4图:表示将氯气用为添加气体时之洗净气之蚀 刻率之图。 第5图:表示将氯气用为添加气体时之洗净气之选 择比之图。 第6图:表示将氟化氢气用为添加气体时之热处理 装置之洗净方法之洗净条件及结果之表。 第7图:表示将氟化氢气用为添加气体时之洗净气 之蚀刻率。 第8图:表示将氟化氢气用为添加气体时之洗净气 之选择比之图。 第9图:表示将氨气用为添加气体时之热处理装置 之洗净方法之洗净条件及结果之表。 第10图:表示将氨气用为添加气体时之洗净气之蚀 刻率之图。 第11图:表示将氨气用为添加气体时之洗净气之选 择比之图。 第12图:表示将氢气用为添加气体时之热处理装置 之洗净方法之洗净条件及结果之表。 第13图:表示将氢气用为添加气体时之洗净气之蚀 刻率之图。 第14图:表示将氢气用为添加气体时之洗净气之选 择比之图。 第15图:为说明反应生成物之附着之用之热处理装 置之概略图。 |
