| 主权项 |
1.一种利用推挽式控制晶片驱动半桥式换流器之 电路,系连接于一变压器之一次侧端,用以将一直 流电源转换为一交流电源,包括有: 一推挽式控制晶片,系设有二输出端; 一驱动电路,包括有: 一第一加速二极体,其负极(N)端连接该推挽式控制 晶片之一输出端; 一电晶体开关,其基极端连接该第一加速二极体之 正极(P)端,射极端连接到一参考端; 一第一电阻,连接该电晶体开关之集极端与该直流 电源; 一第二电阻,系并接于该第一加速二极体; 一交连电容,其一端连接到该推挽式控制晶片之另 一输出端;及 一半桥式开关组件,系由二个电子开关组成,每一 开关皆设有一控制端,其一电子开关之控制端连接 于该电晶体开关之集极端,另一电子开关之控制端 连接于该交连电容之另一端,藉由该驱动电路之驱 动,用以将该直流电源切换为该交流电源传送至该 变压器之一次侧端。 2.如申请专利范围第1项所述之利用推挽式控制晶 片驱动半桥式换流器之电路,其中该二电子开关系 为一P通道场效电晶体与一N通道场效电晶体。 3.如申请专利范围第2项所述之利用推挽式控制晶 片驱动半桥式换流器之电路,其中该P通道场效电 晶体与该N通道场效电晶体系组成一正半周驱动或 一负半周驱动。 4.如申请专利范围第2项所述之利用推挽式控制晶 片驱动半桥式换流器之电路,其中该P通道场效电 晶体之源极系连接于一直流电源。 5.如申请专利范围第2项所述之利用推挽式控制晶 片驱动半桥式换流器之电路,其中该N通道场效电 晶体之源极系连接于一参考端。 6.如申请专利范围第1项所述之利用推挽式控制晶 片驱动半桥式换流器之电路,其中该驱动电路进一 步包括有: 一第二加速二极体,其负极(N)端连接到该推挽式控 制晶片之另一输出端,并,其正极(P)端连接该交连 电容之一端;及 一第三电阻,系并接于该第二加速二极体。 7.如申请专利范围第6项所述之利用推挽式控制晶 片驱动半桥式换流器之电路,其中该驱动电路更包 括有: 一稽纳二极体,其正极(P)端连接于该电子开关之控 制端,负极(N)端连接于该直流电源;及 一第四电阻,系并接于该稽纳二极体。 8.如申请专利范围第1项所述之利用推挽式控制晶 片驱动半桥式换流器之电路,其中该驱动电路系包 括有: 一第一加速二极体,其负极(N)端连接该推挽式控制 晶片之输出端,正极(P)端连接到一电晶体开关之基 极端,且该电晶体开关之射极端连接到一参考端, 集极端系透过一交连电容连接到该电子开关之控 制端,并透过一第一电阻连接到该直流电源; 一第二电阻,系并接于该第一加速二极体;及 一第二加速二极体,其负极(N)端连接到该推挽式控 制晶片之输出端,并,其正极(P)端系连接到该电子 开关之控制端;及一第三电阻,系并接于该第二加 速二极体。 9.如申请专利范围第8项所述之利用推挽式控制晶 片驱动半桥式换流器之电路,其中该驱动电路更包 括有: 一稽纳二极体,其正极(P)端连接于该电子开关之控 制端,负极(N)端连接于该直流电源;及 一第四电阻,系并接于该稽纳二极体。 10.如申请专利范围第1项所述之利用推挽式控制晶 片驱动半桥式换流器之电路,其中更有二电容器连 接于该变压器之一次侧端与半桥式开关组件之间 。 图式简单说明: 第一图为习知推挽式换流电路驱动负载之电路示 意图; 第二图为习知推挽式控制晶片输出控制讯号及负 载端输出电压波形示意图; 第三图为习知半桥式换流电路驱动负载之电路示 意图; 第四图为习知半桥式控制晶片输出控制讯号及交 流电源电压波形示意图; 第五图为本发明第一实施例之电路示意图; 第六图为本发明第一实施例推挽式控制晶片之输 出讯号及交流电源电压波形示意图; 第七图为本发明第二实施例之电路示意图;及 第八图为本发明第二实施例推挽式控制晶片之输 出讯号及交流电源电压波形示意图。 |
