| 主权项 |
1.一种厚膜图案之形成方法,其特征在于具备: 膜形成工序,其系将含有无机粉末、感光性单体及 光聚合引发剂,实质上不含有聚合物之感光性糊状 物涂布于支撑体上,形成感光性糊状物膜者; 曝光工序,其系于前述感光性糊状物膜施加曝光处 理者;及 显影工序,其系将已施加前述曝光工序之前述感光 性糊状物膜显影,形成特定之厚膜图案者。 2.一种厚膜图案之形成方法,其特征在于具备: 膜形成工序,其系将感光性糊状物涂布于支撑体上 ,形成感光性糊状物膜者;该感光性糊状物含有无 机粉末、感光性单体、光聚合引发剂及聚合物,且 前述感光性单体对于前述感光性单体及前述聚合 物之合计量之比例(重量比例)满足下式(1)之要件: 感光性单体/(感光性单体+聚合物)≧0.86……(1); 曝光工序,其系于前述感光性糊状物膜施加曝光处 理者;及 显影工序,其系将已施加前述曝光处理之前述感光 性糊状物膜显影,形成特定之厚膜图案者。 3.如请求项1或2之厚膜图案之形成方法,其中构成 前述感光性糊状物之无机粉末、感光性单体及光 聚合引发剂之含有比例为以下范围: 无机粉末:60-90重量% 感光性单体:5-39重量% 光聚合引发剂:1-10重量%。 4.如请求项1或2之厚膜图案之形成方法,其中作为 前述感光性糊状物系使用含有双键浓度为8 mmol/g- 11 mmol/g之范围之感光性单体之感光性糊状物。 5.如请求项1或2之厚膜图案之形成方法,其中作为 前述感光性糊状物系使用含有具有聚合度为3以下 之环氧乙烷构造之感光性单体者。 6.如请求项1或2之厚膜图案之形成方法,其中前述 感光性糊状物含有紫外线吸收剂。 7.如请求项1或2之厚膜图案之形成方法,其中前述 感光性糊状物系以5重量%以下之比例含有溶剂。 8.如请求项1或2之厚膜图案之形成方法,其中于前 述显影工序使用有机溶剂进行显影。 9.如请求项1或2之厚膜图案之形成方法,其中于前 述曝光工序,以使前述感光性糊状物膜及光罩不接 触之方式配置而施加曝光处理。 10.如请求项1或2之厚膜图案之形成方法,其中于前 述曝光工序,不使用光罩而于感光性糊状物施加曝 光处理。 11.一种电子零件之制造方法,其特征在于具备以下 工序: 藉由请求项1至10中任一项所记载之方法形成厚膜 图案之工序;及 烧成前述厚膜图案之工序。 12.一种光微影用感光性糊状物,其特征在于含有无 机粉末、感光性单体、光聚合引发剂,实质上不含 有聚合物。 13.一种光微影用感光性糊状物,其特征在于其系含 有无机粉末、感光性单体、光聚合引发剂及聚合 物者; 前述感光性单体对于前述感光性单体及前述聚合 物之合计量之比例(重量比例)满足下式(1)之要件: 感光性单体/(感光性单体+聚合物)≧0.86……(1)。 14.如请求项12或13之光微影用感光性糊状物,其中 前述无机粉末、前述感光性单体及前述光聚合引 发剂之含有比例为以下范围: 无机粉末:60-90重量% 感光性单体:5-39重量% 光聚合引发剂:1-10重量%。 15.如请求项12或13之光微影用感光性糊状物,其中 前述感光性单体系双键浓度为8 mmol/g-11 mmol/g。 16.如请求项12或13之光微影用感光性糊状物,其中 前述感光性单体系具有聚合度为3以下之环氧乙烷 构造。 17.如请求项12或13之光微影用感光性糊状物,其中 含有紫外线吸收剂。 18.如请求项12或13之光微影用感光性糊状物,其中 以5重量%以下之比例含有溶剂。 图式简单说明: 图1(a)-(c)系表示藉由关于本申请发明之实施例之 方法形成厚膜图案之方法之图。 图2(a)-(d)系表示藉由关于本申请发明之实施例之 其他方法形成厚膜图案之方法之图。 图3系表示关于本申请发明之一实施例之电子零件 (陶瓷多层基板)之剖面图。 图4系表示关于本申请发明之一实施例之晶片线圈 之外观之立体图。 图5系表示图4之晶片线圈之构成之分解立体图。 |
