| 主权项 |
1.一种闪灯退火系统,包含: 容纳基板之容室;以及 包含一或更多光源之选择性光产生器,以产生电磁 辐射以辐射至基板,该电磁辐射具有大于或小于一 界定波长范围之波长,于此范围内基板一部分比其 他部分更有效率地吸收或反射该电磁辐射。 2.如申请专利范围第1项之系统,其中该一或更多光 源调适以产生宽光谱辐射,包含具有对应该界定波 长范围之波长的电磁辐射。 3.如申请专利范围第2项之系统,其中该选择性光产 生器进一步包含过滤器,以从宽光谱辐射过滤掉具 有在界定波长范围内之波长的电磁辐射。 4.如申请专利范围第3项之系统,其中该一或更多光 源包含电浆灯。 5.如申请专利范围第4项之系统,其中该电浆灯包含 外罩,该外罩为该过滤器。 6.如申请专利范围第5项之系统,其中该外罩包含掺 杂氧化铈之石英。 7.如申请专利范围第1项之系统,其中该界定波长范 围系从约200至350奈米。 8.如申请专利范围第1项之系统,其中该容室调适以 容纳晶圆基板。 9.如申请专利范围第1项之系统,其中该容室调适以 容纳具有含括复数个构件之半导体装置的基板。 10.如申请专利范围第1项之系统,其中该容室调适 以容纳具有第一基板构件之基板,该第一基板构件 比其他基板构件更高速吸收或反射具有于界定波 长范围内之波长的电磁辐射。 11.如申请专利范围第10项之系统,其中该第一基板 构件包含氮间隔体。 12.一种光源,包含: 当受激时形成产生电磁辐射之电浆的气体,以及 包围该气体之外罩,调适以将具有于界定波长范围 内之波长的电磁辐射过滤掉。 13.如申请专利范围第12项之光源,其中该外罩包含 掺杂氧化铈之石英。 14.如申请专利范围第12项之光源,其中该界定波长 范围系从约200至350奈米。 15.如申请专利范围第12项之光源,其中该界定波长 范围系一波长范围,在此波长范围中该电磁辐射更 有效率地被暴露至该电磁辐射之基板吸收或反射 。 16.如申请专利范围第15项之光源,其中该基板构件 为选自由氮间隔体以及具有变化的基板构件密度 之区域之基板所组成之族群的基板构件。 17.一种选择性光产生器,包含: 产生电磁辐射之光源;以及 过滤掉来自由该光源产生之电磁辐射之具有于界 定波长范围内之波长的电磁辐射,以生产经过滤的 辐射的过滤器。 18.如申请专利范围第17项之选择性光产生器,其中 过滤器过滤掉具有介于200奈米至约350奈米之间的 波长之电磁辐射。 19.如申请专利范围第17项之选择性光产生器,其中 该光源产生包含界定波长范围的电磁辐射。 20.如申请专利范围第17项之选择性光产生器,其中 该光源包含电浆灯。 21.如申请专利范围第17项之光源,其中该界定波长 范围系一波长范围,在此波长范围中该电磁辐射更 有效率地被暴露至该电磁辐射之基板吸收或反射 。 22.一种闪灯退火方法,包含: 提供基板;以及 将该基板暴露至具有波长大于或小于一界定波长 范围之波长的电磁辐射,于此范围内基板一部分比 其他部分更有效率地吸收或反射该电磁辐射。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中该方法进一 步包含激化气体以形成产生电磁辐射之电浆。 24.如申请专利范围第22项之方法,其中该提供包含 提供具有氮间隔体之基板。 25.如申请专利范围第22项之方法,其中该提供包含 提供具有半导体装置或变化密度之基板。 26.如申请专利范围第22项之方法,其中该界定波长 范围系从约200至约350奈米(nm)。 27.如申请专利范围第22项之方法,其中该暴露包含 产生宽光谱辐射,该宽光谱辐射包含至少具有对应 该界定波长范围之波长的电磁辐射,从该宽光谱辐 射过滤掉该具有对应该界定波长范围之波长的电 磁辐射以产出经过滤之辐射,并且将该基板暴露至 该经过滤之辐射。 28.如申请专利范围第27项之方法,其中该宽光谱辐 射包含具有从约200至约800奈米之波长的电磁辐射 。 图式简单说明: 第1图描述范例之CMOS电晶体; 第2A图描述根据本发明的一些实施例之包含用于 产生具有选择性波长的电磁辐射之选择性光产生 器的系统; 第2B图描述根据本发明的一些实施例之包含用于 产生具有选择性波长的电磁辐射之选择性光产生 器的系统;以及 第3图描述根据本发明的一些实施例之产生具有选 择性波长的电磁辐射的光源。 |
