| 主权项 |
1.一种记忆装置,包含: 一阵列之储存单元; 多重字线,其中各该字线系对应至该阵列之储存单 元中之一列; 一列解码器,其连接至该些字线,其中该列解码器 系可操作以断定并停止断定个别的该些字线,且各 该字线具有一头端,其邻接该字线被连接至列解码 器之处;及 多重位元线,其中各该位元线系对应至该阵列之储 存单元中之一行; 其中该记忆装置支援用以在阵列之一列之内存取 多重储存单元之一行解码顺序,该列对应于一字线 ,且该行解码顺序开始并终止于或靠近于该字线之 该头端。 2.如申请专利范围第1项所述之记忆装置,其中各该 字线具有位于该头端之反侧之一尾端,该尾端远离 该字线被连接至该列解码器之处,且其中该列解码 器在一第一字线之该尾端被停止断定之前,藉由断 定一第二字线来执行从该第一字线至该第二字线 之一字线切换。 3.如申请专利范围第2项所述之记忆装置,其中该行 解码顺序系在该第一字线之该尾端被停止断定之 前被启动以存取位于或靠近该第二字线之该头端 之该些储存单元之至少一者。 4.如申请专利范围第1项所述之记忆装置,其中该行 解码顺序包含选择移离该字线之该头端之复数个 第一替代记忆单元与移向该字线之该头端之复数 个第二替代记忆单元,其中该些第一替代记忆单元 与该些第二替代记忆单元交错以包含该字线的全 部。 5.如申请专利范围第1项所述之记忆装置,更包含连 接至该些位元线之一行解码器,其中该行解码顺序 系由该行解码器所实施。 6.如申请专利范围第5项所述之记忆装置,其中该列 解码器系可操作用以执行在一第一字线与一第二 字线之间的一字线切换,该第二字线系在该第一字 线被停止断定前于复数个储存单元而非在该第一 字线之该头端中被断定,且其中该行解码器系可操 作用以在该第二字线被断定前于复数个储存单元 而非在该第二字线之该头端中开始该行解码顺序 。 7.如申请专利范围第1项所述之记忆装置,其中该些 储存单元对应至一列之一部分,其中该行解码顺序 于一第一单元开始而于一第二单元终止,且其中该 第一与第二单元系比该列之该部分中之大部分的 其他单元更靠近该字线之头端。 8.如申请专利范围第1项所述之记忆装置,更包含非 挥发性储存体。 9.如申请专利范围第1项所述之记忆装置,更包含动 态随机存取记忆体。 10.一种记忆装置,包含: 一阵列之储存单元; 多重字线,其中各该字线系对应至该阵列之储存单 元中之一列; 一列解码器,其连接至该些字线,其中该列解码器 系可操作以断定并停止断定个别的该些字线,且各 该字线具有一头端,其邻接该字线被连接至列解码 器之处;及 多重位元线,其中各该位元线系对应至该阵列之储 存单元中之一行; 其中该记忆装置支援用以在阵列之一列之内存取 多重储存单元之一行解码顺序,该列对应于一字线 ,且该行解码顺序开始于远离该字线之该头端之一 方向,并终止于朝向该字线之该头端之一方向。 11.如申请专利范围第10项所述之记忆装置,其中各 该字线具有位于该头端之反侧之一尾端,该尾端远 离该字线被连接至该列解码器之处,且其中该列解 码器在一第一字线之该尾端被停止断定之前,藉由 断定一第二字线来执行从该第一字线至该第二字 线之一字线切换。 12.如申请专利范围第11项所述之记忆装置,其中该 行解码顺序系在该第一字线之该尾端被停止断定 之前被启动以存取位于或靠近该第二字线之该头 端之该些储存单元之至少一者。 13.如申请专利范围第10项所述之记忆装置,其中该 行解码顺序包含选择移离该字线之该头端之复数 个第一替代记忆单元与移向该字线之该头端之复 数个第二替代记忆单元,其中该些第一替代记忆单 元与该些第二替代记忆单元交错以包含该字线的 全部。 14.如申请专利范围第10项所述之记忆装置,更包含 连接至该些位元线之一行解码器,其中该行解码顺 序系由该行解码器所实施。 15.如申请专利范围第14项所述之记忆装置,其中该 列解码器系可操作用以执行在一第一字线与一第 二字线之间的一字线切换,该第二字线系在该第一 字线被停止断定前于复数个储存单元而非在该第 一字线之该头端中被断定,且其中该行解码器系可 操作用以在该第二字线被断定前于复数个储存单 元而非在该第二字线之该头端中开始该行解码顺 序。 16.如申请专利范围第10项所述之记忆装置,其中该 些储存单元对应至一列之一部分,其中该行解码顺 序于一第一单元开始而于一第二单元终止,且其中 该第一与第二单元系比该列之该部分中之大部分 的其他单元更靠近该字线之头端。 17.如申请专利范围第10项所述之记忆装置,更包含 非挥发性储存体。 18.如申请专利范围第10项所述之记忆装置,更包含 动态随机存取记忆体。 19.一种记忆装置,包含: 一阵列之储存单元; 多重字线,其中各该字线系对应至该阵列之储存单 元中之一列;及 一列解码器,其连接至该些字线,其中该列解码器 系可操作以断定并停止断定个别的该些字线,且各 该字线具有邻接该字线被连接至列解码器之处之 一头端,以及位于该头端之反侧之一尾端,该尾端 远离该字线被连接至该列解码器之处, 其中该列解码器在一第一字线之该尾端被停止断 定之前,藉由断定一第二字线来执行从该第一字线 至该第二字线之一字线切换。 20.如申请专利范围第19项所述之记忆装置,其中一 行解码顺序系在该第一字线之该尾端被停止断定 之前被启动以存取位于或靠近该第二字线之该头 端之复数个储存单元之至少一者。 21.如申请专利范围第20项所述之记忆装置,其中该 行解码顺序系在该第二字线之该尾端被断定之前 被启动以存取位于或靠近该第二字线之该头端之 复数个储存单元之至少一者。 22.如申请专利范围第20项所述之记忆装置,更包含 连接至复数个位元线之一行解码器,其中该行解码 顺序系由该行解码器所实施。 23.如申请专利范围第19项所述之记忆装置,其中该 记忆装置支援用以在阵列之一列之内存取多重储 存单元之一行解码顺序,该列对应于一字线,且该 行解码顺序开始于远离该字线之该头端之一方向, 并终止于朝向该字线之该头端之一方向。 24.如申请专利范围第19项所述之记忆装置,其中该 记忆装置支援用以在阵列之一列之内存取多重储 存单元之一行解码顺序,该列对应于一字线,且该 行解码顺序开始并终止于或靠近于该字线之该头 端。 25如申请专利范围第19项所述之记忆装置,更包含 非挥发性储存体。 26.如申请专利范围第19项所述之记忆装置,更包含 动态随机存取记忆体。 27.一种记忆装置之操作方法,包含以下步骤: 提供一阵列之储存单元、多重字线及连接至该些 字线之一列解码器,各该字线对应于该阵列之储存 单元之一列,其中各该字线具有邻接该字线被连接 至该列解码器之处之一头端,以及位于该头端之反 侧之一尾端,该尾端远离该字线被连接至该列解码 器之处;及 藉由断定一第二字线并藉由停止断定一第一字线, 来执行从该第一字线至该第二字线之一字线切换, 其中在该第一字线之该尾端完全不导通之前,该第 二字线之该头端系完全导通。 28.如申请专利范围第27项所述之方法,更包含以下 步骤: 在该第一字线之该尾端完全不导通之前,启动一行 解码顺序以存取位于或靠近该第二字线之该头端 之该些储存单元之至少一者。 29.如申请专利范围第27项所述之方法,更包含以下 步骤: 在该第二字线之该尾端完全导通之前,启动一行解 码顺序以存取位于或靠近该第二字线之该头端之 该些储存单元之至少一者。 30.如申请专利范围第27项所述之方法,更包含以下 步骤: 依据一行解码顺序存取在该阵列之一列之内之该 些储存单元,该列对应于一字线,其中该行解码顺 序开始于远离该字线之该头端之一方向,并终止于 朝向该字线之该头端之一方向。 31.如申请专利范围第27项所述之方法,更包含以下 步骤: 依据一行解码顺序存取在该阵列之一列之内之该 些储存单元,该列对应于一字线,其中该行解码顺 序开始并终止于或靠近于该字线之该头端。 32.一种记忆装置之操作方法,包含以下步骤: 提供一阵列之储存单元、多重字线、一列解码器 及多重位元线,其中各该字线对应于该阵列之储存 单元之一列,该列解码器连接至该些字线,各该字 线具有邻接该字线被连接至该列解码器之处之一 头端,各该位元线系对应至该阵列之储存单元之一 行;及 依据一行解码顺序存取在该阵列之一列之内之该 些储存单元,该列对应于一字线,其中该行解码顺 序开始并终止于或靠近该字线之该头端。 33.如申请专利范围第32项所述之方法,其中各该字 线具有位于该头端之反侧之一尾端,该尾端远离该 字线被连接至该列解码器之处,且其中该列解码器 在一第一字线之该尾端被停止断定之前,藉由断定 一第二字线来执行从该第一字线至该第二字线之 一字线切换。 34.如申请专利范围第33项所述之方法,其中该行解 码顺序系在该第一字线之该尾端被停止断定之前 被启动以存取位于或靠近该第二字线之该头端之 该些储存单元之至少一者。 35.如申请专利范围第33项所述之方法,其中该行解 码顺序系在该第二字线之该尾端被断定之前被启 动以存取位于或靠近该第二字线之该头端之该些 储存单元之至少一者。 36.如申请专利范围第33项所述之方法,其中该行解 码顺序包含选择移离该字线之该头端之复数个第 一替代记忆单元与移向该字线之该头端之复数个 第二替代记忆单元,其中该些第一替代记忆单元与 该些第二替代记忆单元交错以包含该字线的全部 。 37.如申请专利范围第33项所述之方法,其中该些储 存单元对应至一列之一部分,其中该行解码顺序于 一第一单元开始而于一第二单元终止,且其中该第 一与第二单元系比该列之该部分中之大部分的其 他单元更靠近该字线之头端。 38.一种记忆装置之操作方法,包含以下步骤: 提供一阵列之储存单元、多重字线、一列解码器 及多重位元线,其中各该字线对应于该阵列之储存 单元之一列,该列解码器连接至该些字线,各该字 线具有邻接该字线被连接至该列解码器之处之一 头端,各该位元线系对应至该阵列之储存单元之一 行;及 依据一行解码顺序存取在该阵列之一列之内之该 些储存单元,该列对应于一字线,其中该行解码顺 序开始于远离该字线之该头端之一方向,并终止于 朝向该字线之该头端之一方向。 39.如申请专利范围第38项所述之方法,其中各该字 线具有位于该头端之反侧之一尾端,该尾端远离该 字线被连接至该列解码器之处,且其中该列解码器 在一第一字线之该尾端被停止断定之前,藉由断定 一第二字线来执行从该第一字线至该第二字线之 一字线切换。 40.如申请专利范围第39项所述之方法,其中该行解 码顺序系在该第一字线之该尾端被停止断定之前 被启动以存取位于或靠近该第二字线之该头端之 该些储存单元之至少一者。 41.如申请专利范围第39项所述之方法,其中该行解 码顺序系在该第二字线之该尾端被断定之前被启 动以存取位于或靠近该第二字线之该头端之该些 储存单元之至少一者。 42.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该行解 码顺序包含选择移离该字线之该头端之复数个第 一替代记忆单元与移向该字线之该头端之复数个 第二替代记忆单元,其中该些第一替代记忆单元与 该些第二替代记忆单元交错以包含该字线的全部 。 43.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该些储 存单元对应至一列之一部分,其中该行解码顺序于 一第一单元开始而于一第二单元终止,且其中该第 一与第二单元系比该列之该部分中之大部分的其 他单元更靠近该字线之头端。 图式简单说明: 第1图系为一种习知记忆装置之概要图。 第2图系为来自第1图之记忆装置之某些元件之更 详细图。 第3图系为第2图之记忆装置中之感测与遗漏路径 之示意图。 第4图系为依据本发明之一个实施例之一记忆装置 之一部分与一相关解码顺序之概要图。 第5图系为依据本发明之一个实施例之来自第4图 之记忆装置之某些成分与相关感测路径之更详细 图。 第6图系为依据本发明之一个实施例之表示对第4 图之记忆装置之一记忆体存取操作之流程图。 第7图系为一种习知之行解码器之简化示意图。 第7A图系为依据本发明之一个实施例之例如用于 第4图之记忆装置之一行解码器之简化示意图。 |
