| 主权项 |
1.一种以一离子束照射一基板之装置,包含: 一电浆产生器,藉射频放电产生电浆,该电浆产生 器供给电浆至一在基板之上游侧附近之部位,藉以 藉离子束照射抑制基板表面之充电;以及 一射频电源,供给射频电力至电浆产生器,俾产生 电浆, 其中射频电源输出包括一信号之射频电力,其为将 射频电源之一原始射频信号调幅所形成。 2.一种以一离子束照射一基板之装置,包含: 一电浆产生器,藉射频放电产生电浆,该电浆产生 器供给电浆至一在基板之上游侧附近之部位,藉以 藉离子束照射来抑制基板表面之充电;以及 一射频电源,供给射频电力至电浆产生器,俾产生 电浆, 其中射频电源可在二操作模式之任一选择性操作, 一连续波模式,在此模式,射频电源产生一有固定 振幅之射频电力,及一调变波模式,在此模式,该射 频电源产生一将原始射频信号调幅所形成之射频 电力,以及其中在该电浆产生器产生电浆时,控制 装置将该射频电源设定在该连续波模式,及其中在 该电浆产生器产生电浆后,控制装置将射频电源设 定在该调变波模式。 3.一种以一离子束照射一基板之方法,该方法包含 下列步骤: 供给一射频电力至一电浆产生器,俾产生电浆; 藉一电浆产生器所产生之射频放电产生该电浆; 在二操作模式之任一选择,一射频电力有一固定振 幅之一连续波模式,及一藉将一原始射频信号调幅 形成一射频电力之一调变波模式;以及 供给电浆至一在基板之上游侧附近之部位,藉以藉 离子束照射抑制基板表面之充电。 图式简单说明: 图1为侧视图,示一根据本发明之离子束照射装置; 图2为在图1中在线C-C所取之剖而图; 图3为剖面图,示一在图1中所使用之射频电源; 图4为波形图,示一射频电力,其由一正弦调变信号 予以调变; 图5为波形图,示一射频电力,其由一三角形调变信 号予以调变; 图6为波形图,示一射频电力,其由一矩形调变信号 予以调变; 图7为曲线图,示在一在基板附近之位置所见,相对 于由一矩形调变信号予以调变之射频电力之频率, 负充电电压之变化; 图8为曲线图,示在一在基板附近之位置所测量,相 对于一调变为具有一种矩形波形之射频电力之负 载比,负充电电压之变化; 图9为侧视图,示相关技艺之一种离子束照射装置 。 |
