| 主权项 |
1.一种布线图案形成方法,其系使用一液滴吐出装 置吐出液态导电性材料之液滴,以在一图案形成区 域中形成一导电性材料层,该图案形成区域系在基 板上以一岸堤图案为边界,并具有一区段,前述区 段在第1方向上之长度为L,而垂直于前述第1方向之 第2方向上之长度为M, 该方法包含步骤(A),其将直径在前述L以下且在前 述M以下之前述液滴吐出到前述区段上,而形成覆 盖前述区段之前述导电性材料层;且 前述步骤(A)包含步骤(a1),其系吐出前述液滴,使前 述液滴之中心到达从前述岸堤图案起相隔至少前 述直径之1/2之位置。 2.如请求项1之布线图案形成方法,其中 前述步骤(A)包含步骤(a2),其系仅将前述液滴吐出 到前述图案形成区域中之前述区段,并藉由前述液 滴之自行流动,而在前述图案形成区域中形成前述 导电性材料层。 3.一种布线图案形成方法,其系使用一液滴吐出装 置吐出不同的液态导电性材料之液滴,以在一图案 形成区域中积层不同的导电层,该图案形成区域系 在基板上以一岸堤图案为边界,并具有一区段,前 述区段在第1方向上之长度为L,而垂直于前述第1方 向之前述第2方向上之长度为M,该方法包含: 第1步骤,其将直径在前述L以下且在前述M以下之第 1导电性材料之液滴吐出到前述区段上而形成第1 导电性材料层; 第2步骤,其藉由烧成前述第1导电性材料层而形成 第1导电层; 第3步骤,其藉由将具有前述直径之第2导电性材料 之液滴吐出到前述区段上,而在前述第1导电层上 形成第2导电性材料层;及 第4步骤,藉由烧成该第2导电性材料层而形成第2导 电层; 其中前述第1步骤及前述第3步骤之至少一项系吐 出前述液滴,使前述液滴之中心到达从前述岸堤图 案起相隔至少前述直径之1/2之位置。 4.如请求项3之布线图案形成方法, 其中前述第1步骤及前述第3步骤之至少一项系仅 将前述液滴吐出到前述图案形成区域中之前述区 段,并藉由前述液滴之自行流动,而在前述图案形 成区域中形成前述导电性材料层。 5.一种TFT用源极电极之形成方法,其包含如请求项1 至4项中任一项之布线图案形成方法,其中 前述图案形成区域为形成源极布线之区域,且 前述区段为前述源极布线中形成源极电极之区域 。 6.一种TFT用汲极电极之形成方法,其包含如请求项1 至4项中任一项之布线图案形成方法,其中 前述图案形成区域为形成汲极布线之区域,且 前述区段为形成汲极电极布线之区域。 图式简单说明: 图1系表示藉由本实施型态之布线图案形成方法所 形成之源极布线及汲极电极之模式图。 图2系表示本实施型态之装置(device)制造装置之模 式图。 图3系表示本实施型态之液滴吐出装置之模式图。 图4(a)及(b)系表示本实施型态之液滴吐出装置之喷 头之模式图。 图5系表示本实施型态之液滴吐出装置之控制装置 之机能区块图。 图6(a)-(c)系表示对应于图7之U'-U剖面之图之表示本 实施型态之TFT元件之制造步骤图。 图7系表示取边成本实施型态之2次元形状之图案 形成区域之模式图。 图8(a)-(d)系表示对应于图7之U'-U剖面之图之表示本 实施型态之布线图案形成方法之图。 图9系表示藉由本实施型态之布线图案形成方法所 形成之TFT元件及形成有TFT元件之元件侧基板之模 式图。 图10(a)-(c)系表示本实施型态之电子机器之模式图 。 |
