| 主权项 |
1.一种半导体元件,包括: 在绝缘表面之上具有多个晶体取向而基本上不包 括晶粒边界的第一结晶半导体区; 导电的第二结晶半导体区,所述第一结晶半导体区 连接到第二结晶半导体区, 其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面之上 以线形条状图形延伸的绝缘膜的方向上延伸,且第 二结晶半导体区被提供,排列在以线形条状图形延 伸的绝缘膜上。 2.根据申请专利范围第1项的半导体元件,其中绝缘 表面的表面是提供在玻璃基底之上的绝缘膜的表 面。 3.根据申请专利范围第1项的半导体元件,其中以线 形条状图形延伸的绝缘膜的宽度是0.1-10m,相邻 图形间隔是0.01-2m,膜厚度是0.01-3m。 4.根据申请专利范围第1项的半导体元件,其中所述 半导体元件结合到选自组成为电视机、视频相机 、个人电脑、个人数位助理、声音播放设备、数 位相机和蜂巢电话的组中的一个中。 5.一种半导体元件,包括: 在绝缘表面之上包括多个晶体取向而基本上不包 括晶粒边界的第一结晶半导体区; 导电的第二结晶半导体区,所述第一结晶半导体区 连接到第二结晶半导体区, 其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面之上 以线形条状图形延伸的绝缘膜的方向上延伸,且第 二结晶半导体区被用作线路,被提供排列在以线形 条状图形延伸的绝缘膜上。 6.根据申请专利范围第5项的半导体元件,其中绝缘 表面的表面是提供在玻璃基底之上的绝缘膜的表 面。 7.根据申请专利范围第5项的半导体元件,其中以线 形条状图形延伸的绝缘膜的宽度是0.1-10m,相邻 图形间距是0.01-2m,膜厚度是0.01-3m。 8.根据申请专利范围第5项的半导体元件,其中第一 结晶半导体区的膜厚度等于以线形条状图形延伸 的绝缘膜的膜厚度。 9.根据申请专利范围第5项的半导体元件,其中所述 半导体元件结合到选自组成为电视机、视频相机 、个人电脑、个人数位助理、声音播放设备、数 位相机和蜂巢电话的组中的一个中。 10.一种半导体元件,包括: 在绝缘表面之上包括多个晶体取向而基本上不包 括晶粒边界的第一结晶半导体区; 导电的第二结晶半导体区,所述第一结晶半导体区 连接到第二结晶半导体区, 其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面之上 的以线形条状图形延伸的绝缘膜的方向中延伸, 第二结晶半导体区被提供排列在以线形条状图形 延伸的绝缘膜上,并且 第二结晶半导体区包括带有比第一结晶半导体区 更薄的膜的部分。 11.根据申请专利范围第10项的半导体元件,其中绝 缘表面的表面是提供在玻璃基底之上的绝缘膜的 表面。 12.根据申请专利范围第10项的半导体元件,其中以 线形条状图形延伸的绝缘膜的宽度是0.1-10m,相 邻图形间距是0.01-2m,膜厚度是0.01-3m。 13.根据申请专利范围第10项的半导体元件,其中所 述半导体元件结合到选自组成为电视机、视频相 机、个人电脑、个人数位助理、声音播放设备、 数位相机和蜂巢电话的组中的一个中。 14.一种半导体元件,包括: 在绝缘表面之上包括多个晶体取向而基本上不包 括晶粒边界的第一结晶半导体区; 导电的第二结晶半导体区,所述第一结晶半导体区 连接到第二结晶半导体区, 其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面之上 的以线形条状图形延伸的绝缘膜的方向中延伸, 第二结晶半导体区被用作线路,被提供排列在以线 形条状图形延伸的绝缘膜上,并且 第二结晶半导体区包括带有比第一结晶半导体区 更薄的膜的部分。 15.根据申请专利范围第14项的半导体元件,其中绝 缘表面的表面是提供在玻璃基底之上的绝缘膜的 表面。 16.根据申请专利范围第14项的半导体元件,其中以 线形条状图形延伸的绝缘膜的宽度是0.1-10m,相 邻图形间距是0.01-2m,膜厚度是0.01-3m。 17.根据申请专利范围第14项的半导体元件,其中所 述半导体元件结合到选自组成为电视机、视频相 机、个人电脑、个人数位助理、声音播放设备、 数位相机和蜂巢电话的组中的一个中。 图式简单说明: 图1是说明本发明晶化方法的透视图。 图2是说明本发明晶化方法的透视图。 图3是说明本发明晶化方法的透视图。 图4是说明本发明晶化方法的透视图。 图5A-5E是说明晶化中孔径部分形式与结晶半导体 膜形式之间关系的纵截面视图。 图6A-6E是说明本发明电晶体制造制程的俯视图和 纵截面视图。 图7A-7D是说明本发明电晶体制造制程的俯视图和 纵截面视图。 图8A-8D是说明本发明电晶体制造制程的俯视图和 纵截面视图。 图9A-9E是说明本发明电晶体制造制程的俯视图和 纵截面视图。 图10A-10E是说明本发明电晶体制造制程的俯视图和 纵截面视图。 图11A-11F是说明本发明电晶体制造制程的俯视图和 纵截面视图。 图12A-12F是说明本发明电晶体制造制程的俯视图和 纵截面视图。 图13A-13C是示出可用于本发明电晶体的闸结构实例 的纵截面视图。 图14A-14F是说明本发明电晶体制造制程的俯视图和 纵截面视图。 图15A-15F是说明本发明电晶体制造制程的俯视图和 纵截面视图。 图16A-16C是说明本发明电晶体制造制程的纵截面视 图。 图17是说明本发明电晶体制造制程的纵截面视图 。 图18A-18D是说明本发明电晶体制造制程的俯视图和 纵截面视图。 图19是示出本发明的半导体装置实例的外视图。 图20A-20G是示出本发明的电子设备实例的图。 图21是示出本发明用于操作的镭射照射装置的图 。 图22A-22D是示出本发明用于操作的雷射光束的构成 的图。 图23A和23B是观察在结晶矽膜的Seco蚀刻之后由本发 明得到的结晶矽膜上表面的TEM照片及其示意图。 图24A和24B是观察在结晶矽膜的Seco蚀刻之后由本发 明得到的该结晶矽膜上表面的TEM照片及其示意图 。 图25是示出形成于凹处中的晶体取向的EBSP绘制资 料(mapping data)。 图26A和26B是观察由本发明得到的结晶矽膜上表面 的TEM照片及其示意图。 图27A和27B是观察结晶矽膜截面的TEM照片及其示意 图。 图28A和28B是观察结晶矽膜截面的TEM照片及其示意 图。 图29A和29B是说明本发明的电晶体制造制程的纵截 面视图。 |
