| 主权项 |
1.一种曝光装置,其包含: 一光罩,其具有欲投影到一曝光物体上之一图案; 一扫描线设定构件,其用于在该光罩上设定欲由一 带电粒子束进行扫描之复数个扫描线,及; 一带电粒子束扫描构件,其用于藉由跳过一数目的 扫描线执行隔行扫描,及用于针对所跳过的该等扫 描线重复该隔行扫描以扫描所有该等扫描线,其中 该数目可控制由于该带电粒子束重叠所引起之该 光罩之温升。 2.如请求项1之曝光装置,其中该带电粒子束扫描构 件藉由跳过该数目之扫描线且藉由确保该光罩一 次隔行扫描所需之时间来执行该隔行扫描,所跳过 的该扫描线数目可藉由减少该带电粒子束之重叠 来最小化该光罩之温升。 3.如请求项1之曝光装置,其中 该扫描线设定构件设定该等扫描线中按一间隔配 置的复数个扫描线,该间隔大于该光罩上所形成之 该图案之一尺寸,及; 该带电粒子束扫描构件采用具有比该等扫描线之 该间隔大的束直径的该带电粒子束进行扫描。 4.如请求项1之曝光装置,其中该带电粒子束扫描构 件朝一固定方向重复执行该带电粒子束之隔行扫 描。 5.如请求项1之曝光装置,其中该带电粒子束扫描构 件朝一固定方向并朝与该固定方向相反之一方向 重复执行该带电粒子束之隔行扫描。 6.如请求项5之曝光装置,其中该带电粒子束扫描构 件藉由跳过数目大约为可最小化温升之该数目两 倍之扫描线朝该固定方向并朝该固定方向之该相 反方向重复执行隔行扫描。 7.如请求项1之曝光装置,其中该光罩系一模板光罩 ,其具有由一薄膜上之一孔径所形成之该图案。 8.如请求项7之曝光装置,其中该光罩进一步包含一 横杆部分,其加固该薄膜之强度并将该薄膜划分成 区段。 9.如请求项7之曝光装置,其中该扫描线设定构件设 定复数个扫描线,其具有为该曝光物体之一单位曝 光区域之尺寸1.5倍或更多并小于其两倍之长度。 10.如请求项1之曝光装置,其中该光罩系一同等比 例的光罩,其系靠近该曝光物体而配置且采用欲投 影到该曝光物体之一图案同等比例地形成。 11.一种曝光方法,其包含: 一设定步骤,其在采用欲投影到一曝光物体之一图 案所形成之一光罩上,设定欲由一带电粒子束进行 扫描之复数个扫描线; 一执行隔行扫描步骤,其藉由跳过一数目之扫描线 来执行隔行扫描,该所跳过的扫描线之数目可控制 由于该带电粒子束重叠所引起之该光罩之温升,及 ; 一重复该隔行扫描之步骤,其针对所跳过的扫描线 重复该隔行扫描,以藉由该带电粒子束来扫描所有 该等扫描线。 12.如请求项11之曝光方法,其中在执行该隔行扫描 之该步骤中,藉由跳过该数目之扫描线且藉由确保 该光罩之单一隔行扫描所需之时间来执行该隔行 扫描,该所跳过的扫描线之数目可藉由减少该带电 粒子束重叠而获得该光罩之最小温升。 13.如请求项11之曝光方法,其中: 在设定该扫描线之该步骤中,设定该等扫描线中按 一间隔配置的复数个扫描线,该间隔大于该光罩上 所形成之该图案之尺寸,及; 在执行该隔行扫描之该步骤中,藉由所具有之束直 径比该扫描线之该间隔大的带电粒子束来执行该 隔行扫描。 14.如请求项11之曝光方法,其中在重复该隔行扫描 之该步骤中朝一固定方向重复执行该带电粒子束 之隔行扫描。 15.如请求项11之曝光方法,其中在重复该隔行扫描 之该步骤中,朝一固定方向并朝与该固定方向相反 之一方向重复执行该带电粒子束之隔行扫描。 16.如请求项15之曝光方法,其中藉由跳过数目大约 为可最小化温升之该数目两倍之扫描线,朝该固定 方向并朝该固定方向之该相反方向重复执行隔行 扫描。 17.如请求项11之曝光方法,其中采用一薄膜上之一 孔径图案所形成之一模板光罩用作该光罩。 18.如请求项17之曝光方法,其中该模板光罩系形成 为具有一横杆部分,该横杆部分加固该薄膜之强度 并将该薄膜划分成区段。 19.如请求项11之曝光方法,其中在设定该等扫描线 之该步骤中设定复数个扫描线,其具有为该曝光物 体之一单位曝光区域之尺寸之1.5倍或更多并小于 其两倍之长度。 20.如请求项11之曝光方法,其中采用欲投影到该曝 光物体之该图案同等比例地形成该光罩。 21.一种半导体装置制造方法,其藉由将一图案投影 到一基板上所形成之一光阻上并藉由在投影一图 案之后使用该光阻处理该基板来形成一半导体装 置之一电路图案,该半导体装置制造方法包含: 一设定步骤,其在采用欲投影到一曝光物体之一图 案所形成之一光罩上设定欲由一带电粒子束进行 扫描之复数个扫描线; 一执行隔行扫描步骤,其藉由跳过一数目之扫描线 来执行隔行扫描,该所跳过的扫描线之数目可控制 由于该带电粒子束重叠所引起之该光罩之温升,及 ; 一重复该隔行扫描之步骤,其针对所跳过的该等扫 描线重复该隔行扫描,以藉由该带电粒子束来扫描 所有该等扫描线。 22.如请求项21之半导体装置制造方法,其中在执行 该隔行扫描之该步骤中,藉由跳过该数目之扫描线 且藉由确保该光罩一次隔行扫描所需之时间来执 行该隔行扫描,该所跳过的扫描线之数目可藉由减 少该带电粒子束重叠而最小化该光罩之温升。 23.如请求项21之半导体装置制造方法,其中: 在一设定该等扫描线之步骤中,设定该等扫描线中 按一间隔配置的复数个扫描线,该间隔大于该光罩 上所形成之该图案之一尺寸,及; 在一执行该隔行扫描之步骤中使用该带电粒子束, 其具有比该等扫描线之该间隔大的束直径。 24.如请求项21之半导体装置制造方法,其中在重复 该隔行扫描之一步骤中,朝一固定方向重复执行该 带电粒子束之隔行扫描。 25.如请求项21之半导体装置制造方法,其中在重复 该隔行扫描之一步骤中,朝一固定方向并朝与该固 定方向相反之一方向重复执行该带电粒子束之隔 行扫描。 26.如请求项25之半导体装置制造方法,其中在朝该 固定方向并朝该固定方向之该相反方向重复隔行 扫描之一步骤中,藉由跳过数目大约为可最小化温 升之该数目两倍之扫描线朝该固定方向并朝该固 定方向之该相反方向重复执行隔行扫描。 图式简单说明: 图1系显示与本发明之具体实施例有关之一曝光装 置之特性値、该曝光装置中所使用之光罩及该光 罩所曝光之光阻之范例之视图。 图2系用于说明一传统的电子束扫描方法之视图。 图3系显示传统的电子束扫描方法中使用矽作为隔 膜材料之情形中隔膜之图案位移之视图。 图4系显示传统的电子束扫描方法中使用金刚石作 为隔膜材料之情形中针对隔膜位置与温升之分析 结果之视图。 图5系显示传统的电子束扫描方法中针对隔膜位置 及由热引起之图案之最大位移之分析结果之视图 。 图6系与本具体实施例有关之曝光装置之示意性构 造图。 图7系用于说明与本具体实施例有关之一曝光方法 中之一隔行扫描范例之视图。 图8系显示藉由隔行扫描使电子束照射至光阻之情 形中针对所跳过扫描线之数目及由热引起之图案 之最大位移之分析结果之视图。 图9系显示采用金刚石作为隔膜材料之情形中针对 所跳过扫描线之数目及由热引起之图案之最大位 移之分析结果之视图。 图10系用于说明另一隔行扫描范例之视图。 图11系显示本具体实施例较佳使用之一光罩之一 第一范例之视图。 图12系图11之光罩之主要部分之透视图。 图13系显示本具体实施例较佳使用之一光罩之一 第二范例之视图。 图14系显示本具体实施例较佳使用之一光罩之一 第三范例之视图。 图15系显示本具体实施例较佳使用之一光罩之一 第四范例之视图。 |
