| 主权项 |
1.一种曝光装置,包含: 一照明光学系统,以供照射一反射遮罩之图案,藉 由使用来自一光源之光线,其中照明光学系统包含 : 一场光圈,其界定反射遮罩上之一照射区域,且具 有一开口;及 一成像系统,以供导引来自场光圈中之开口的光线 进入反射遮罩,此成像系统系一共轴光学系统;以 及 一投射光学系统,以供投射反射遮罩上之图案至一 基底上,其中于反射遮罩之一侧上的成像系统之一 主射线系形成与共轴光学系统之一共同轴的倾斜 角度,此倾斜角度系约略等于一介于反射遮罩之侧 上的该投射光学系统的一主射线与反射遮罩之一 表面的垂直线之间的角度。 2.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中该照明光 学系统包含一平面镜,以供反射来自成像系统之光 线并将其引入反射遮罩。 3.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中位于场光 圈之一侧上的成像系统之主射线系约略平行于共 同轴。 4.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中该照明光 学系统具有一孔径光圈于成像系统中之光瞳表面 上。 5.如申请专利范围第4项之曝光装置,其中孔径光圈 具有一开口,且该照明光学系统具有一机构,用以 改变孔径光圈中之开口的尺寸或形状。 6.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中场光圈包 含一遮蔽叶片,其包含多数光遮蔽板。 7.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中场光圈包 含一具有弧形开口之弧形狭缝。 8.如申请专利范围第7项之曝光装置,其中弧形开口 具有一曲率中心于共同轴上。 9.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中场光圈包 含: 一遮蔽叶片,其包含多数光遮蔽板;及 一弧形狭缝,其具有一弧形开口。 10.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中该照明 光学系统包含: 一反射积分器,以供使用来自光源之光线而形成多 数次光源;及 一镜系统,以供叠置其来自多数次光源之光线于场 光圈上并形成弧形照射区域,其中弧形照射区域具 有一曲率中心于共同轴上。 11.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中成像系 统包含四个镜。 12.如申请专利范围第11项之曝光装置,其中来自场 光圈之四个镜中的第一及第四个镜具有凹面反射 表面。 13.如申请专利范围第11项之曝光装置,其中来自场 光圈之四个镜中的第三个镜具有凸面反射表面。 14.如申请专利范围第11项之曝光装置,其中来自场 光圈之四个镜中的第二个镜具有凹面反射表面。 15.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中成像系 统具有一光瞳表面,并包含一具有反射表面于光瞳 表面上之镜。 16.如申请专利范围第1项之曝光装置,其中来自光 源之光线具有200 nm或更小的波长。 17.如申请专利范围第16项之曝光装置,其中来自光 源之光线具有介于5 nm与20 nm之间的波长。 18.一种装置制造方法,包含下列步骤: 使用一曝光装置以暴露一物体;及 显影其暴露之物体, 其中该曝光装置包含: 一照明光学系统,以供照射一反射遮罩之图案,藉 由使用来自一光源之光线,其中该照明光学系统包 含: 一场光圈,其界定反射遮罩上之一照射区域,且具 有一开口;及 一成像系统,以供导引来自场光圈中之开口的光线 进入反射遮罩,此成像系统系一共轴光学系统;以 及 一投射光学系统,以供投射反射遮罩上之图案至一 基底上,其中于反射遮罩之一侧上的成像系统之一 主射线系形成与共轴光学系统之一共同轴的倾斜 角度,此倾斜角度系约略等于一介于反射遮罩之侧 上的该投射光学系统的一主射线与反射遮罩之一 表面的垂直线之间的角度。 图式简单说明: 图1系依据本发明之一实施例的一概略视图。 图2系一接收平行光之积分器的视图。 图3A系一具有多数凸形圆柱表面之反射积分器的 概略视图,而图3B系一具有多数凹形圆柱表面之反 射积分器的概略视图。 图4系积分器之一横断面形状的视图。 图5系一用以解释其反射于一圆柱表面上之光线的 角度分布之视图。 图6系一显示由圆柱表面上所反射之光线所形成的 弧形区域之视图。 图7A系一扫瞄曝光开始状态下之视图,而图7B系一 扫瞄曝光结束状态下之视图。 图8系一可变弧形狭缝及一遮蔽叶片之概略视图。 图9系一显示扫瞄曝光期间之遮蔽叶片的动作之视 图。 图10系一遮蔽成像系统之概略视图。 图11A系一显示一正常照射下相应于大模式之孔 径光圈的视图,图11B系一显示一正常照射下相应于 小模式之孔径光圈的视图,图11C系一显示一相应 于环状照射模式之孔径光圈的视图,及图11D系一显 示一相应于四极照射模式之孔径光圈的视图。 图12系一习知技术说明之概略视图。 图13系一习知反射积分器之概略透视图。 图14系一习知的已照射区域及一待被曝光的弧形 区域之视图。 图15系一用以解释供制造装置(半导体晶片,诸如ICs 、LSIs、等等、LCDs、CCDs、及其他)之方法的流程图 。 图16系图15中所示之晶圆制程的步骤4之详细流程 图。 |
