| 主权项 |
1.一种用以平坦化一基材之组成物,该组成物至少 包含: 至少一过渡金属之离子,该过渡金属至少包含铜; 一或多数螯合剂,其系由化合物群组所选出,该等 化合物具有一或多数胺或醯胺基,氨基酸,具有一 或多数酸基之羧酸及其组合; 一或多数界面活性剂; 一或多数氧化剂; 一或多数腐蚀阻抑剂;及 水。 2.一种用以平坦化一基材之组成物,该组成物至少 包含: 至少一过渡金属之离子,该过渡金属至少包含铜; 一或多数螯合剂; 一或多数界面活性剂,其系由聚丙烯酸之钠盐,油 酸钾,磺基琥珀酸,磺基琥珀酸洐生物,磺化胺,磺化 醯胺,乙醇之硫酸盐,磺酸烷,羧酸乙醇,烷基胺丙炔 酸,烷基亚胺基二丙酸,及其组合之群组中选出; 一或多数氧化剂; 一或多数腐蚀阻抑剂;及 水。 3.如申请专利范围第1项或第2项所述之组成物,其 中上述之一或多数螯合剂包含该组成物之约0.02vol %至约4vol%。 4.如申请专利范围第1项或第2项所述之组成物,其 中上述之至少一过渡金属之离子系由一或多数金 属盐所衍生出。 5.如申请专利范围第4项所述之组成物,其中上述之 一或多数金属盐包含铜盐,其系由硫酸铜,氟硼酸 铜,葡糖酸铜,氨基磺酸铜,氯化铜,氰化铜及其组合 之群组中选出。 6.如申请专利范围第5项所述之组成物,其中上述之 铜盐包含组成物之于约0.005wt%至约1.0wt%之间。 7.如申请专利范围第1项或第2项所述之组成物,其 中上述之界面活性剂包含一或多数有机界面活性 剂,两性离子表面活性剂,多离子界面活性剂,或其 组合。 8.如申请专利范围第1项所述之组成物,其中上述之 界面活性剂系由聚丙烯酸之钠盐,油酸钾,磺基琥 珀酸,磺基琥珀酸洐生物,磺化胺,磺化醯胺,乙醇之 硫酸盐,磺酸烷,羧酸乙醇,烷基胺丙炔酸,烷基亚胺 基二丙酸,及其组合之群组中选出。 9.如申请专利范围第1项或第2项所述之组成物,其 中上述之界面活性剂包含组成物之约0.001vol%至约 10vol%。 10.如申请专利范围第1项或第2项所述之组成物,更 包含一剂料,以调整pH値。 11.如申请专利范围第10项所述之组成物,其中上述 之调整pH値之剂料系为一酸,其系由醋酸,磷酸,草 酸,及其组合之群组中所选出。 12.如申请专利范围第1项或第2项所述之组成物,其 中上述之组成物具有于约2.5至约11.0间之一pH値。 13.如申请专利范围第1项或第2项所述之组成物,更 包含诸磨料粒子。 14.如申请专利范围第13项所述之组成物,其中上述 之磨料粒子包含组成物之约35wt%或更少。 15.如申请专利范围第13项所述之组成物,其中上述 之磨料粒子包含由矽石,铝土,氧化钛,氧化锆,氧化 铈,及其组合之群组所选出。 16.一种用以由一基材表面移除含铜材料的方法,该 方法至少包含使用一组成物来平坦化该基材表面, 该组成物至少包含一或多数螯合剂、至少一过渡 金属之离子、一或多数界面活性剂、一或多数氧 化剂、一或多数腐蚀阻抑剂及水,该过渡金属至少 包含铜。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之 一或多数螯合剂系由化合物群组所选出,该等化合 物具有一或多数胺或醯胺基,氨基酸,具有一或多 数酸基之羧酸及其组合。 18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之 一或多数螯合剂包含该组成物之约0.02vol%至约4vol% 。 19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之 至少一过渡金属之离子由一或多数金属盐所洐生 出。 20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之 一或多数金属盐包含铜盐,其系由硫酸铜,氟硼酸 铜,葡糖酸铜,氨基磺酸铜,氯化铜,氰化铜及其组合 之群组中选出。 21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之 铜盐包含组成物之于约0.005wt%至约1.0wt%之间。 22.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之 组成物更包含一或多数阴离子界面活性剂,两性离 子表面活性剂,多离子界面活性剂,或其组合,一或 多数螯合剂,一或多数氧化剂,一或多数腐蚀阻抑 剂,水及其组合。 23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之 阴离子界面活性剂,两性离子界面活性剂,多离子 界面活性剂系由聚丙烯酸之钠盐,油酸钾,磺基琥 珀酸,磺基琥珀酸洐生物,磺化胺,磺化醯胺,乙醇之 硫酸盐,磺酸烷,羧酸乙醇,烷基胺丙炔酸,烷基亚胺 基二丙酸,及其组合之群组中选出。 24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之 界面活性剂包含组成物之约0.001vol%至约10vol%。 25.如申请专利范围第22项所述之方法,更包含一剂 料,以调整pH値。 26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中上述之 调整pH値之剂料系为一酸,其系由醋酸,磷酸,草酸, 及其组合之群组中所选出。 27.如申请专利范围第22项所述之方法,更包含诸磨 料粒子。 28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中上述之 磨料粒子包含组成物之约35wt%或更少。 29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中上述之 磨料粒子包含由矽石,铝土,氧化钛,氧化锆,氧化铈 ,及其组合之群组所选出之材料。 30.一种用以处理一基材的方法,该方法至少包含步 骤: 提供一基材至一研磨设备; 研磨该基材以实质地移除形成于其上之含铜材料, 及 以一CMP组成物研磨该基材,该组成物包含一或多数 螯合剂,及一或多数铜盐,以移除残留之含铜材料 。 31.如申请专利范围第30项所述之方法,其中上述之 一或多数螯合剂系由化合物群组所选出,该等化合 物具有一或多数胺或醯胺基,氨基酸,具有一或多 数酸基之羧酸及其组合。 32.如申请专利范围第30项所述之方法,其中上述之 一或多数螯合剂包含该组成物之约0.02vol%至约4vol% 。 33.如申请专利范围第30项所述之方法,其中上述之 一或多数铜盐系由硫酸铜,氟硼酸铜,葡糖酸铜,氨 基磺酸铜,磺化铜,焦磷酸铜,氯化铜,氰化铜及其组 合构成之群组中选出。 34.如申请专利范围第33项所述之方法,其中上述之 铜盐包含CMP组成物之于约0.005wt%至约1.0wt%之间。 35.如申请专利范围第30项所述之方法,其中上述之 CMP组成物更包含一或多数阴离子界面活性剂,两性 离子界面活性剂,多离子界面活性剂,或其组合,一 或多数螯合剂,一或多数氧化剂,一或多数腐蚀阻 抑剂,水及其组合。 36.如申请专利范围第35项所述之方法,其中上述之 一或多数阴离子界面活性剂,两性离子界面活性剂 ,多离子界面活性剂系由聚丙烯酸之钠盐,油酸钾, 磺基琥珀酸,磺基琥珀酸洐生物,磺化胺,磺化醯胺, 乙醇之硫酸盐,磺酸烷,羧酸乙醇,烷基胺丙炔酸,烷 基亚胺基二丙酸,及其组合之群组中选出。 37.如申请专利范围第35项所述之方法,其中上述之 一或多数阴离子界面活性剂,两性离子界面活性剂 ,多离子界面活性剂,或其组合包含CMP组成物之约0. 001vol%至约10vol%。 38.如申请专利范围第35项所述之方法,其中上述之 CMP组成物更包含一剂料,以调整pH値。 39.如申请专利范围第38项所述之方法,其中上述之 调整pH値之剂料系为一酸,其系由醋酸,磷酸,草酸, 及其组合之群组中所选出。 40.如申请专利范围第35项所述之方法,其中上述之 CMP组成物更包含诸磨料粒子。 41.如申请专利范围第40项所述之方法,其中上述之 磨料粒子包含组成物之约35wt%或更少。 42.如申请专利范围第40项所述之方法,其中上述之 磨料粒子包含组成物之约2wt%或更少。 43.如申请专利范围第40项所述之方法,其中上述之 磨料粒子包含由矽石,铝土,氧化钛,氧化锆,氧化铈 ,及其组合之群组所选出的材料。 44.一种处理一安置于一研磨垫上之基材的方法,该 方法至少包含步骤: 对该基材上,执行一第一研磨处理,以大量地由该 基材移除含铜材料; 执行一第二研磨处理,以由该基材移除残留含铜材 料,该第二研磨处理,包含: 配送一CMP组成物至研磨垫; 于原处混合一或多数螯合剂及至少一过渡金属之 离子与CMP组成物,及 由基材移除残留之含铜材料。 45.如申请专利范围第44项所述之方法,其中上述之 CMP组成物更包含一或多数阴离子界面活性剂,两性 离子界面活性剂,多离子界面活性剂,或其组合,一 或多数螯合剂,一或多数氧化剂,一或多数腐蚀阻 抑剂,水及其组合。 46.如申请专利范围第45项所述之方法,其中上述之 CMP组成物更包含诸磨料粒子。 47.如申请专利范围第44项所述之方法,其中上述之 一或多数螯合剂系由化合物群组所选出,该等化合 物具有一或多数胺或醯胺基,氨基酸,具有一或多 数酸基之羧酸及其组合。 48.如申请专利范围第44项所述之方法,其中上述之 一或多数螯合剂包含该组成物之约0.02vol%至约4vol% 。 49.如申请专利范围第44项所述之方法,其中上述之 至少一过渡金属之离子系由一或多数金属盐所衍 生出。 50.如申请专利范围第49项所述之方法,其中上述之 一或多数金属盐包含一铜盐,其系由硫酸铜,氟硼 酸铜,葡糖酸铜,氨基磺酸铜,磺化铜,焦磷酸铜,氯 化铜,氰化铜及其组合构成之群组中选出。 51.如申请专利范围第50项所述之方法,其中上述之 铜盐包含组成物之于约0.005wt%至约1.0wt%之间。 52.如申请专利范围第44项所述之方法,其中上述之 于原处混合一或多数螯合剂及一或多数金属盐与 第二CMP组成物发生于第一CMP组成物被配送至研磨 垫之后,约30秒至约300秒之间。 53.如申请专利范围第44项所述之方法,其中该至少 一过渡金属之离子系由第二研磨制程时,基材扣环 之腐蚀所洐生。 54.如申请专利范围第44项所述之方法,其中该至少 一过渡金属之离子系由第二研磨制程时,与安排于 一研磨垫中之铜源产生反应之组成物所洐生。 55.一种电脑可读取媒体,包含有用以平坦化一基材 表面之指令,当指令为一或多数处理机所执行时, 指令使得一或多数处理机以控制一系统,以执行: (a)研磨基材,以实质地移除形成于其上之含铜材料 ;及 (b)以一CMP组成物研磨该基材,该CMP组成物包含一或 多数螯合剂及至少一过渡金属之离子,以移除残留 之含铜材料。 56.如申请专利范围第55项所述之电脑可读取媒体, 其中上述之指令系被安置以研磨基材,以实质地移 除形成于其上之含铜材料,这系进行于安装于一第 一平台上之旋转或线性研磨垫。 57.如申请专利范围第56项所述之电脑可读取媒体, 其中上述之指令系安排以以一CMP组成物研磨该基 材,该CMP组成物包含一或多数螯合剂及至少一过渡 金属之离子,以移除残留之含铜材料,这系进行于 安装于一第一平台或第二平台上之旋转或线性研 磨垫。 58.如申请专利范围第55项所述之电脑可读取媒体, 其中上述指令进一步被安排以CMP组成物研磨该基 材,藉由于原处混合一或多数螯合剂及一或多数金 属盐与CMP组成物之另一成份,发生于CMP组成物之其 他成份被配送至研磨垫之后,30秒至300秒之间。 图式简单说明: 第1图为一化学机械研磨设备之示意立体图; 第2至4图为示意图表,用以例示用以于一基材上形 成一特性之制程的实施例。 |
