主权项 |
1.一种电子元件制造用基材的制造方法,包括下列 步骤: 于基材上,涂敷在有机溶媒而溶解或者分散含有环 构造之硬化性树脂之硬化性树脂溶液之制程; 藉着由非极性溶媒和极性溶媒之所组成之清洗溶 剂,处理及除去附着在前述基材之周边部、边缘部 和背面部之至少一部分上之不必要之硬化性树脂 溶液之制程;以及 乾燥涂敷在前述基材上之硬化性树脂溶液之制程; 其中前述含有环构造之硬化性树脂,系由硬化型聚 苯醚系树脂、硬化型苯并环丁烯系树脂和硬化型 聚正菠烷系树脂而组成之群体中之所选择出之1种 或2种以上; 前述清洗溶剂中之非极性溶媒,系为芳香族烃或者 脂环式烃;及 前述清洗溶剂中之极性溶媒,系由酮化合物、酯化 合物、碳酸酯化合物和醯胺化合物而组成之群组 中之所选择出之1种或2种以上。 2.如申请专利范围第1项之电子元件制造用基材的 制造方法,其中,前述含有环构造之硬化性树脂溶 液之固态成分浓度,系为5-90重量%。 3.如申请专利范围第1项之电子元件制造用基材的 制造方法,其中,使用具有低于前述含有环构造之 硬化性树脂溶液之有机溶媒沸点之沸点之清洗溶 剂。 4.如申请专利范围第1项之电子元件制造用基材的 制造方法,其中,前述清洗溶剂中之非极性溶媒,系 为芳香族烃,而极性溶媒,系为醯胺化合物。 5.如申请专利范围第1项之电子元件制造用基材的 制造方法,其中,前述清洗溶剂中之非极性溶媒和 极性溶媒间之混合比例,以(非极性溶媒量)/(极性 溶媒量)之(重量比)表示,系为99/1-1/99。 6.如申请专利范围第1项之电子元件制造用基材的 制造方法,其中,前述电子元件制造用基材,系由矽 基板、玻璃基板、陶瓷基板和合成树脂基板而组 成之群体中之所选择出之1种。 7.一种硬化性树脂之清洗溶剂,系由非极性溶媒和 极性溶媒而组成的;其中前述清洗溶剂中之非极性 溶媒,系由芳香族烃和脂环式烃而选择出之1种或 者2种以上;以及前述清洗溶剂中之极性溶媒,系由 酮化合物、酯化合物、碳酸酯化合物和醯胺化合 物而组成之群组中之所选择出之1种或2种以上。 8.如申请专利范围第7项之硬化性树脂之清洗溶剂, 其中,前述清洗溶剂中之非极性溶媒,系为芳香族 烃,而极性溶媒,系为醯胺化合物。 9.如申请专利范围第7项之硬化性树脂之清洗溶剂, 其中,前述清洗溶剂中之非极性溶媒和极性溶媒间 之混合比例,以(非极性溶媒量)/(极性溶媒量)之(重 量比)表示,系为99/1-1/99。 10.如申请专利范围第7项之硬化性树脂之清洗溶剂 ,其中,具有低于用以溶解或者分散该含有环构造 之硬化性树脂之有机溶媒沸点之沸点。 |