用于光阻剂之顶涂组成物及使用该组成物形成微细图案之方法

摘要

本发明系关于一种保护胺污染顶涂组成物及一种经由使用该组成物形成微细图案之方法。较佳地，本发明之保护胺污染顶涂组成物包括一保护胺污染化合物。有用的保护胺污染化合物包括胺衍生物，其包括胺基酸衍生物；醯胺衍生物；氨基甲酸酯化合物包括尿素；其盐类及其混合物。本发明之保护胺污染顶涂组成物减少或除去由于曝光后延迟效应之如T-顶涂问题及由于酸扩散与传统包括一具有包含脂环衍生物之主链的光阻剂聚合物之微影术，使用一光源KrF(248nm)，ArF(193nm)，F2(157nm)，E-辐射束，离子辐射束及极紫外线(EUV)于形成低于100 nm之精细图案之困难。

主权项

1.一种用于光阻剂之保护胺污染之顶涂组成物,其包括:(a)一顶涂组成物;及(b)一硷性化合物,其系为选自如下式所表示之胺衍生物类;胺基酸衍生物类;醯胺衍生物类;氨基甲酸乙酯衍生物类;尿素衍生物类;其盐类及其混合物所组成之族群中之含氮化合物,其中该硷性化合物系以(a)顶涂组成物之溶剂之0.001-0.1莫耳%之量使用,且该硷性化合物之共轭酸具有pKa値约为13或更少:其中,每一个R1,R2及R3彼此独立为H,或直链或支链C1-C20烷基。2.根据申请专利范围第1项之保护胺污染之顶涂组成物,其中该烷基为(i)未经取代直链或分枝烷基;或(ii)选自直链或分枝C1-C20醇(-OH),直链或分枝C1-C20羧酸,直链或分枝C1-C20胺,直链或分枝C1-C20酮,及直链或分枝C1-C20酯所组成之族群中之经取代之直链或分枝烷基。3.根据申请专利范围第1项之保护胺污染之顶涂组成物,其中该胺衍生物系选自L-脯胺酸,氢氧化四甲基铵五水合物,三乙醇胺,及其混合物所组成之族群中。4.一种形成光阻剂图案之方法,其包括下列步骤:(a)涂覆一光阻剂组成物于一基板上以形成一光阻剂薄膜;(b)涂覆根据申请专利范围第1项之保护胺污染顶涂组成物于该光阻剂薄膜之上部以形成顶涂;(c)藉由使用一包括选自KrF(248nm),ArF(193nm),F2(157nm),E-辐射束,离子辐射束及极紫外线(EUV)所组成之族群中之光源的曝光器将该顶涂基板曝光;及(d)显影该曝光基板。5.根据申请专利范围第1项之保护胺污染顶涂组成物,其系用于制造半导体元件。6.根据申请专利范围第1项之保护胺污染之顶涂组成物,其中该硷性化合物系以(a)顶涂组成物之溶剂之0.005-0.05莫耳%之量使用。7.根据申请专利范围第6项之保护胺污染之顶涂组成物,其中该硷性化合物系以(a)顶涂组成物之溶剂之0.007-0.03莫耳%之量使用。图式简单说明:图1及2为显示传统光阻剂图案之SEM照片;及图3至7为显示根据本发明较佳实施例之光阻剂图案之SEM照片。