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发明名称 A method for forming a MOSFET of semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100647394(B1) 申请公布日期 2006.11.17
申请号 KR20000046435 申请日期 2000.08.10
申请人 发明人
分类号 H01L21/8232 主分类号 H01L21/8232
代理机构 代理人
主权项
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