氮化镓系半导体之成长方法

摘要

一种氮化镓系半导体之成长方法，用于提供一制造固态半导体发光装置所需之基础，其系藉由下列步骤来进行：提供一基材，并在该基材上形成复数间隔散布的氮化镓系材料之岛状凸块，在前述岛状凸块上形成一由氮化镓系为主之材料所制成的基础层；藉由该具有低缺陷密度基础层之提供，使该固态发光装置可形成于该基础层上，因此可降低发光装置之缺陷密度，提高发光装置之发光效率。