CMOS影像感测器及其制造方法

摘要

一种CMOS影像感测器，其中包括一影像转移电晶体。此影像转移电晶体包括一第一导电型半导体通道区域以及一位于该半导体通道区域上的导电闸极。亦提供一闸极绝缘区域。该闸极绝缘区域延伸于该半导体通道区域与该导电闸极之间。该闸极绝缘区域包括一延伸至一具有该导电闸极之介面的氮化绝缘层以及一延伸至一具有该半导体通道区域之介面的大体上无氮绝缘层。该氮化绝缘层可为一氮氧化矽(SiON)层。