半导体装置及其制法

摘要

一种半导体装置及其制法，主要系于依序具有第一、第二保护层及金属层之半导体基材上覆盖一第三保护层，该第三保护层具有局部暴露该金属层之开口，且该开口中心与该焊垫中心系偏离小于焊垫半径之间距。藉此可令焊料凸块结合于该金属层上之位置适当偏移，相对位于较大面积之保护层上，进而提供较佳之缓冲效果以减少集中于焊料凸块之应力，防止如知技术之龟裂、脱层现象或高成本之缺点。