发明名称 半导体元件及具有金属矽化物的导线之制造方法
摘要 一种具有金属矽化物的导线之制造方法,先于基底上,形成一层导体层。接着,于导体层上形成一层硬罩幕层。然后,以硬罩幕层为罩幕,移除部份导体层。之后,于导体层及硬罩幕层之侧壁形成一间隙壁。接下来,移除硬罩幕层。随后,于导体层上形成一金属矽化物。
申请公布号 TW200639942 申请公布日期 2006.11.16
申请号 TW094114668 申请日期 2005.05.06
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 杨立民;赖亮全
分类号 H01L21/3205(2006.01) 主分类号 H01L21/3205(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号