| 摘要 |
一种相变电阻装置具有一相变材料(PCM)，供相转移发生于该PCM内部，而不是在与一接触电极的介面。为易于制造该PCM，在其横向侧有一被该导电电极部分(200,240)所围绕的延长线结构(210)，且该结构在一CMOS后端制程中形成。一替代方式系将该装置直接联结至其他电路零件而非该等电极。在各情形中，一PCM线具有一固定直径或截面，此截面系利用一填隙物当作一硬遮罩并以缩减尺寸制成。该第一接触电极及该第二接触电极系由该PCM的一“一维”层电气连接。该PCM的一维度层与位于该第二接触电极之第一接触电极之间的接触电阻低于该线之一中心或插入部分的电阻。 |
