功率接面场效电晶体结构及其制法

摘要

本案系为一种功率接面场效电晶体结构及其制法，其制法包含步骤：(a)提供基板，其具有磊晶层；(b)形成氧化层于磊晶层上；(c)进行第一次光罩微影蚀刻，以形成闸极汇流排及保护环开口；(d)植入第一掺杂物，以形成闸极汇流排井区及保护环区；(e)进行第二次光罩微影蚀刻，以形成双闸极开口；(f)植入一第二掺杂物，以于磊晶层上形成至少一双闸极及一闸极汇流排；(g)形成介电质层于氧化层上；(h)进行第三次光罩微影蚀刻，以形成源极层开口；(i)植入一第三掺杂物，以于双闸极上形成源极层；(j)进行第四次光罩微影蚀刻，以形成闸极汇流排金属接面开口；以及(k)沈积金属层，并进行第五次光罩微影蚀刻，以形成闸极汇流排金属层及源极金属层，分别连接闸极汇流排及源极层。