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经营范围
发明名称
形成沟槽电容于基材的方法
摘要
本发明系提供一种沟槽电容的形成方式,包括:去除一基材之一部分以形成一沟槽于一基材中;形成一埋入隔离层于基材中;形成一沟槽电容之第一电极于基材中,其至少位于沟槽较低的部分之周围区域;形成一沟槽电容之介电层;及形成一沟槽电容之第二电极于沟槽中。埋入隔离层与沟槽相交,并且具有一或多个缺口以提供埋入隔离层以上之第一基材区以及埋入隔离层以下之第二基材区之间的本体接触。
申请公布号
TW200640000
申请公布日期
2006.11.16
申请号
TW094133961
申请日期
2005.09.29
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
李岳川;董明圣
分类号
H01L27/108(2006.01)
主分类号
H01L27/108(2006.01)
代理机构
代理人
王宗梅
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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