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发明名称
具有相同程式化速度之非挥发性记忆体装置
摘要
本发明提供一种具有一单元串结构之快闪记忆体装置。根据本发明,将连接至一第一字线之第一组记忆体单元及连接至一最后字线之第二组记忆体单元的大小形成为大于分别连接至除该第一及该最后字线之外之剩余字线之第三组记忆体单元的大小。因此,可改良该第一及该第二组记忆体单元之程式化速度。
申请公布号
TW200639867
申请公布日期
2006.11.16
申请号
TW094141953
申请日期
2005.11.29
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
朴熙植
分类号
G11C16/24(2006.01)
主分类号
G11C16/24(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
韩国
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