制作铜双镶嵌结构之方法

摘要

本发明提供一种制作铜双镶嵌结构之方法。首先提供一半导体基底，其上包含有一双镶嵌孔洞设于一介电层中，且部分半导体基底系暴露于该孔洞底部，接着进行一物理气相 积制程于双镶嵌孔洞内形成一基底保护层，再进行一原子化学气相 积于基底保护层上形成一氮化钽层，作为一阻障层，最后于双镶嵌孔洞中形成一铜金属层。