发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体元件的制造方法,此方法系先于基底上形成多个隔离结构以定义出主动区。然后,于主动区之基底中形成多个元件结构,这些元件结构的顶部高于基底表面。接着,于元件结构的表面形成绝缘层。之后,于基底上依序形成导体层与材料层,覆盖绝缘层与裸露的基底,其中此材料层具有流动性。继之,进行第一蚀刻步骤,移除材料层与部分的导体层。然后,于基底上形成绝缘材料层。之后,对绝缘材料层进行第二蚀刻制程,以形成一对导体间隙壁。 | ||
申请公布号 | TW200639968 | 申请公布日期 | 2006.11.16 |
申请号 | TW094114666 | 申请日期 | 2005.05.06 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 简财源;赖亮全 |
分类号 | H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 |