| 摘要 |
在一半导体基板之一第一区域及一第二区域上分别形成一矽膜；选择性地将P型杂质离子植入至该第一区域中之该矽膜中；施行一第一退火，藉以活化植入至该矽膜中之P型杂质；在该第一退火后选择性地将N型杂质离子植入至该第二区域中之该矽膜中；在将N型杂质离子植入后根据一CVD方法在该矽膜上形成一矽化物膜；施行一第二退火，藉以将包含于该矽化物膜中之气体排除，并活化该N型杂质；将一阻障金属膜及一金属膜依此顺序形成在该矽化物膜上；及将该金属膜、该阻障金属膜、该矽化物膜及该矽膜图型化，藉以在该第一区域中形成一P型多金属闸电极而在该第二区域中形成一N型多金属闸电极。 |
