薄膜形成装置

摘要

于将基板导入处理室并进行处理时，透过2排的真空隔绝室(load–lockchamber)导入。第1排之真空隔绝室，维持大气压之状态下，取代成惰性气体环境。第2排之真空隔绝室，具有烘烤加热器。如果于内壁附着有机物之状态进行减压，则内壁之有机物会脱离并污染基板，但是，藉由在未附着有机物之第2排之真空隔绝室内进行减压，可防止有机物附着于基板。