| 摘要 |
本发明系关于一种形成一结构的方法，该结构包含从施体晶圆取下被移取层(removedlayer)，在移取前，该施体晶圆包含由Si1–xGex形成的第一层，以及在第一层上由Si1–yGey形成的第二层(x、y分别在0到1的范围，且x与y不同)，该方法包含以下连续步骤：a)布植原子物种，以在第二层下方形成一弱化带；b)将施体晶圆与受体晶圆接合(bonding)；c)供应能量以从弱化带将被移取层与施体晶圆分离；d)在大约1000℃或更高的温度进行快速热退火(RTA)，期间不超过5分钟；e)选择性蚀刻相对于第二层之第一层的剩余部分。 |
