发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体元件的制造方法,系在导体层覆盖前,于隔离结构上覆盖一材料层,上述之材料层较佳是使用具有流动性之有机材料,可使得位于隔离结构之间的材料层厚度大于位于隔离结构顶部的材料层厚度,以有效回蚀隔离结构。然后,移除隔离结构顶部的材料层,并且移除隔离结构的一部份结构,以降低隔离结构的高度。 | ||
申请公布号 | TW200639967 | 申请公布日期 | 2006.11.16 |
申请号 | TW094114492 | 申请日期 | 2005.05.05 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 简财源;赖亮全 |
分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 |