研磨用浆料

摘要

本发明之目的在于提供一种研磨用浆料，其可降低作为被研磨物之半导体晶圆之凹陷或磨蚀。该研磨用浆料含有氧化剂，且含有气相二氧化矽以及胶体二氧化矽作为两种以上之研磨砥粒，根据气相二氧化矽与胶体二氧化矽之混合比，可调整钨等金属膜之研磨率与SiO2等绝缘膜(氧化膜)之研磨率的比(选择比)，且可降低凹陷或磨蚀。