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Offenbart wird ein Verfahren zur Herstellung eines Transistors eines Speicherbauelements, welches in der Lage ist, zu verhindern, dass Lücken erzeugt werden, wenn eine Gate-Elektrode mit niedrigem Widerstand gebildet wird. Das Verfahren schließt die Schritte des Bildens eines aktiven Bereichs durch Ätzen eines Halbleitersubstrats ein, des Bildens einer Feldoxidschicht in dem Halbleitersubstrat und des Bildens einer Ausnehmung durch Ätzen der Feldoxidschicht. Eine Gate-Isolationsschicht wird entlang einer oberen Oberfläche des aktiven Bereichs und eines exponierten Abschnittes des aktiven Bereichs gebildet. Eine Gate-Elektrode wird auf der Feldoxidschicht derart gebildet, dass die Gate-Elektrode sich über einen oberen Abschnitt des aktiven Bereichs erstreckt, während sie mit einem Kanalbereich und der Ausnehmung überlappt. Die erste leitende Schicht, die zu strukturieren ist, weist die gleiche Dicke auf, so dass die Gate-Elektrode mit niedrigem Widerstand ohne Bildung der Lücken leicht hergestellt werden kann. |
