Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und ein entsprechendes Halbleiterbauelement

摘要

Das Verfahren sieht folgende Schritte vor: Nach Bereitstellen eines Halbleitersubstrats 1 mit einer ersten Oberfläche 101 wird eine Matrix 6 mit mindestens einer durchgehenden Vertiefung 10 auf die erste Oberfläche 101 aufgebracht, so dass Kontaktbereiche 2 im Bereich der ersten Oberfläche 101 nicht bedeckt sind. Danach wird eine Opferschicht 7 auf Seitenwände 110 der durchgehenden Vertiefung 10 in einem der ersten Oberfläche 101 abgewandten oberen Abschnitt X1 der Vertiefung 10 aufgebracht. Einem Aufbringen einer ersten leitfähigen Schicht 3 in einem unteren Abschnitt Y1 der Vertiefung 10 und auf die Opferschicht 7 zum Bilden einer ersten Elektrode folgt ein selektives Entfernen der Opferschicht 7 zum Freilegen der Seitenwände 110 der Matrix in dem oberen Abschnitt X1. Abschließend wird eine dielektrische Schicht 4 auf die erste leitfähige Schicht 3 und eine zweite leitfähige Schicht 5 auf die dielektrische Schicht 4 zum Bilden der zweiten Elektrode aufgebracht. Entsprechend ist eine erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung eingerichtet.