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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Überwachung des Fokus eines lithographischen Prozesses, auf ein Programmspeicherbauelement, in dem ein Programm von Anweisungen zur Ausführung dieses Verfahrens gespeichert ist, eine Photomaske, die zur Verwendung mit diesem Verfahren geeignet ist, sowie auf ein zugehöriges Photolithographiesystem. DOLLAR A Gemäß dem Verfahren der Erfindung wird ein Halbleiterwafer (1210) mit einer darauf gebildeten Photoresiststruktur (1211) erhalten, wobei die Photoresiststruktur eine gedruckte Teststruktur mit einem ersten und einem zweiten gedruckten Testelement (T1', T2') beinhaltet. Eine gedruckte kritische Abmessung CD1 des ersten gedruckten Testelements und eine gedruckte kritische Abmessung CD2 des zweiten gedruckten Testelements werden ermittelt, und es wird eine relative CD-Differenz zwischen diesen zwei gedruckten kritischen Abmessungen ermittelt. Basierend auf der ermittelten relativen CD-Differenz werden Größe und Richtung eines Defokus aus einer besten Fokuseinstellung für einen lithographischen Prozess ermittelt. DOLLAR A Verwendung z. B. für photolithographische Prozesse in Halbleiterwaferprozesstechnologien. |
