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经营范围
发明名称
Verfahren und Vorrichtung zum Abfasen einer Halbleiterplatte
摘要
申请公布号
DE69931995(T2)
申请公布日期
2006.11.16
申请号
DE19996031995T
申请日期
1999.05.17
申请人
TOKYO SEIMITSU CO. LTD.
发明人
KATAYAMA, ICHIRO;IWAKI, MASATAMI;IKEDA, KAZUMI
分类号
B24B9/00;B24B9/06;B24B51/00;H01L21/304
主分类号
B24B9/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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