| 发明名称 | 氮化镓基蓝光发光二极管 | ||
| 摘要 | 氮化镓基蓝光发光二极管，涉及一种发光管，尤其是涉及一种高效率的氮化镓基蓝光发光二极管。提供一种发光效率较高、使用寿命较长的氮化镓基蓝光发光二极管。从下至上设有蓝宝石衬底、N－GaN层、有源层、P－GaN层和电流扩展层，在电流扩展层的上表面至N－GaN层设有n型台面，在电流扩展层的上表面设有柱形体阵列，在电流扩展层的上表面和N－GaN层的n型台面上分别设有接线柱。通过运用非平面技术的方法，破坏光学谐振腔，解决光在GaN材料与空气以及三氧化二铝与空气的接触面的全反射问题。又采用ITO透明电极取代合金电极，使其透光率大为提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1862843A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200510072427.3 | 申请日期 | 2005.05.11 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 刘宝林;翁斌斌;秦丽菲;黄瑾;尹以安 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L27/15(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人 | 马应森 |
| 主权项 | 1、氮化镓基蓝光发光二极管，其特征在于从下至上设有蓝宝石衬底、N-GaN层、有源层、P-GaN层和电流扩展层，在电流扩展层的上表面至N-GaN层设有n型台面，在电流扩展层的上表面设有柱形体阵列，在电流扩展层的上表面和N-GaN层的n型台面上分别设有接线柱。 | ||
| 地址 | 361005福建省厦门市思明南路422号 | ||