半导体结构及制造该半导体结构的方法

摘要

本发明提供电可编程的金属电阻器及其制备方法，其中电迁移应力被用于在结构中产生提高电阻器电阻的空洞。具体地，提供包括互连结构的半导体结构，所述互连结构包括至少一个介质层，其中所述至少一个介质层包括至少两个导电区和一个上层互连区，所述互连区嵌入在所述介质层内，所述至少两个导电区通过至少两个接触而与所述上层互连区相接触，而且至少所述的互连区与所述的至少一个介质层被扩散阻挡层隔离，其中空洞至少存在于互连区中，所述空洞提高互连区的电阻。

主权项

1.一种半导体结构，包括：互连结构，该互连结构包括至少一个介质层，其中所述至少一个介质层包括嵌入其中的至少两个导电区以及上层互连区，所述至少两个导电区与所述上层互连区通过至少两个接触而接触，并且至少所述互连区通过扩散阻挡层而与所述至少一个介质层隔开，其中至少在互连区中存在着提高互连区电阻的空洞。