改进位元线和位元线接触短路的结构与方法

摘要

一种改进位元线和位元线接触短路的方法及包含金属线接触窗可降低金属线间接处短路的金属线结构，其步骤包括：在有一介电层的半导体基板，贯通介电层以形成位元线接触窗，以导电材料填入位元线接触窗以形成第一导电层。移除该第一导电层，使其表面低于介电层，并顺应性的沉积一绝缘层。接着，非等向性蚀刻绝缘层而形成侧壁绝缘层于该位元线接触窗的侧壁。形成第二导电层于介电层上，且填入位接触窗。移除位于介电层上的第二导电层及热氧化第二导电层使其产生表面绝缘层。其借由表面绝缘层及侧壁绝缘层和邻近的位元线做为绝缘作用，以增加位元线接触与位元线之间的缓冲距离，避免因为制程控制的不当导致不对准而造成位元线间接触短路的现象。

主权项

1.一种改进位元线和位元线接触短路的方法，其步骤包括：提供一形成有一介电层的半导体基板；贯通该介电层以形成一位元线接触窗；形成一第一导电层，填入部分该位元线接触窗；于该第一导电层上的该位元线接触窗侧壁形成一侧壁绝缘层；在该位元线接触窗侧壁绝缘层所包围的区域中，形成一第二导电层于该第一导电层上；形成表面绝缘层于该第二导电层表面；贯通该位元线接触窗中的该表面绝缘层及部分该第二导电层，以形成一沟槽；及将该沟槽填满导电材料，以形成一位元线。