| 发明名称 | 具有非烧结ALN的静电吸盘及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有非烧结AlN的静电吸盘及其制备方法。具体地，本发明涉及如下的具有非烧结AlN的静电吸盘及其制备方法：所述静电吸盘具有涂布的氮化铝(AlN)层作为介电层以用于在处理晶片的过程中吸持晶片。通过不使用烧结处理或者用粘接剂的粘接处理而形成AlN层作为介电层，本发明的静电吸盘具有优异的介电特性、粘合强度以及热导率。 | ||
| 申请公布号 | CN1864255A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200480029536.0 | 申请日期 | 2004.10.06 |
| 申请人 | SNT株式会社 | 发明人 | 高景现;李夏勇;李在洪;李勳常;李在丁 |
| 分类号 | H01L21/68(2006.01) | 主分类号 | H01L21/68(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1、一种具有非烧结氮化铝(AlN)的静电吸盘，包括氮化铝的涂层作为静电吸盘的电介质。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||