| 发明名称 | 内存装置以及使用正栅极应力以回复过度擦除存储单元的方法 | ||
| 摘要 | 一种擦除由多个存储单元(10)所组成的快闪电可擦除只读存储器(EEPROM)装置的方法，包括预编程(100)多个存储单元(10)、施加擦除脉冲(110)至所述的多个存储单元(10)、接着进行擦除检验(120)。擦除检验(120)后接着软编程(135)任何具有阈值电压低于预定最小电位(V<SUB>TMIN</SUB>)的存储单元，并施加正栅极应力(130)至所述的多个存储单元(10)。本擦除方法可防止过度擦除并提供严格的阈值电压分布。 | ||
| 申请公布号 | CN1864231A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200480028952.9 | 申请日期 | 2004.09.16 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | D·汉密尔顿;Z·刘;M·W·伦道夫;Y·何;E·夏;K·坦派罗;M·李;A·马达哈尼 |
| 分类号 | G11C16/34(2006.01);G11C16/04(2006.01) | 主分类号 | G11C16/34(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种擦除快闪电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置的方法，所述的EEPROM装置包括多个存储单元(10)，各存储单元(10)具有包含至少第一电荷储存单元(36)和第二电荷储存单元(38)的电荷储存层(28)，所述的电荷储存层(28)配置于上电介质层(30)和下电介质层(26)之间，以及配置于所述的上电介质层上的栅电极(32)，所述的下电介质层(26)配置于衬底(12)的上，所述的衬底(12)具有邻接所述的第一电荷储存单元(36)的第一导电区(16)和邻接所述的第二电荷储存单元(38)的第二导电区(14)，所述的方法包括：(a)施加擦除脉冲(110)至所述的多个存储单元(10)；(b)擦除检验(120)所述的多个存储单元(10)，以判定在所述的多个存储单元(10)中是否有任何欠擦除存储单元；以及(c)施加正栅极应力(130)于所述的多个存储单元(10)，以减少在所述的电荷储存层(28)内的正电荷(40)的数量。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||