半导体图像采集设备的封装结构及其制造方法

摘要

提供了一种半导体图像采集设备的封装。所述封装通过倒装芯片凸块工艺制造。根据第一实施方式，在形成金属结合层和电镀金属层的沉积工艺中，半导体图像采集设备的表面保持在室温和200℃之间的范围内。根据第二实施方式，防止产生压力的聚合体层可以吸收沉积工艺中产生的压力。根据本发明，可以防止半导体图像采集设备的表面上的功能聚合体层的性质恶化和表面变形。

主权项

1.一种半导体图像采集设备的封装结构，该结构包括：半导体图像采集设备，具有形成在其中心的图像传感单元的表面上的至少一个功能聚合体层和沿着边缘形成的通过绝缘薄膜选择性暴露的多个电极板；至少一个金属薄膜层，形成在所述暴露的电极板的各个顶部上；凸块，形成在所述金属薄膜层的各个顶部上；印刷电路板，设置有开口以暴露所述功能聚合体层和通过各向异性导电聚合体结合到所述凸块的多个电极板；以及玻璃滤波器，依附在所述印刷电路板上并且对通过所述开口入射到所述功能聚合体层上的光线进行过滤。