| 发明名称 | 表面钝化的光生伏打器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种包括光生伏打单元(12)的光生伏打器件(10)。光生伏打单元(12)包括包含结晶半导体材料的发射层(16)和邻接发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)。轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)相反地掺杂。而且，光生伏打器件(10)包括耦接至光生伏打单元(12)的背面钝化结构(14)。该结构包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)。重掺杂背面场层(24)包括非晶或微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)相同地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。另外，该结构还可包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的本征背面钝化层(26)，其中本征背面钝化层(26)包括非晶或微晶半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1862840A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200610082694.3 | 申请日期 | 2006.05.12 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | V·曼尼文南;A·U·埃邦;J·－R·J·黄;T·P·费斯特;J·N·约翰逊 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01);H01L31/042(2006.01) | 主分类号 | H01L31/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 顾珊;陈景峻 |
| 主权项 | 1.一种光生伏打器件(10)，包括：光生伏打单元(12)，包括：发射层(16)，包括结晶半导体材料；邻接于发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)，其中轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)被相反地掺杂；以及其中轻掺杂结晶衬底(22)包括单晶或多晶半导体材料；以及背面钝化结构(14)，包括：邻接于轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)，其中重掺杂背面场层(24)包括掺杂的非晶或掺杂的微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)被相似地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||