| 发明名称 | 谐振器结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 为了提供一种谐振器结构(100)，特别是体声波(BAW)谐振器，诸如薄膜BAW谐振器(FBAR)或固体安装的BAW谐振器(SBAR)，包括：至少一个衬底(10)；涂敷或沉积在衬底(10)上的至少一个反射器层(20)；涂敷或沉积在反射器层(20)上的至少一个底部电极层(30)，特别是底部电极；涂敷或沉积在底部电极层(30)上的至少一个压电层(40)，特别是C轴正交压电层；至少一个顶部电极层(50)，特别是顶部电极，涂敷或沉积在底部电极层(30)和/或压电层(40)上以至于压电层(40)处于底部电极层(30)和顶部电极层(50)之间，提议在底部电极层(30)和顶部电极层(50)之间的至少一个非重叠区域中的至少一个空间中和/或上涂敷或沉积至少一个电介质层(63，65)。本发明也涉及制作所述谐振器结构的方法以及谐振器结构的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1864326A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200480029158.6 | 申请日期 | 2004.09.27 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | H·P·勒布尔;R·F·米尔索姆;C·梅茨马赫 |
| 分类号 | H03H9/02(2006.01) | 主分类号 | H03H9/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李亚非;陈景峻 |
| 主权项 | 1.一种谐振器结构(100，100’)，特别是体声波(BAW)谐振器，请如薄膜BAW谐振器(FBAR)或固体安装的BAW谐振器(SBAR)，包括：至少一个衬底(10)；涂敷或沉积在衬底(10)上的至少一个反射器层(20；20’)；涂敷或沉积在反射器层(20；20’)上的至少一个底部电极层(30)，特别是底部电极；涂敷或沉积在底部电极层(30)上的至少一个压电层(40)，特别是C轴正交压电层；至少一个顶部电极层(50；50p，50s)，特别是顶部电极，涂敷或沉积在底部电极层(30)和/或压电层(40)上以至于压电层(40)处于底部电极层(30)和顶部电极层(50；50p，50s)之间，其特征在于：在底部电极层(30)和顶部电极层(50；50p，50s)之间的至少一个非重叠区域中的至少一个空间中和/或上涂敷或沉积至少一个电介质层(63，65)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||