| 发明名称 | 用于制造化合物半导体的高纯度镓的纯化方法 | ||
| 摘要 | 从含有杂质的镓原料中分离杂质的方法，该方法是一边搅拌装在容器内的液态镓原料，一边使筒状的凝固界面从该容器的内壁面朝着容器的方向逐渐凝固，并在容器内的全部原料凝固之前使存在于容器部分的液相与凝固相分离。另外，把与液相分离后的凝固相作为镓原料，根据需要将上述方法反复进行多次。通过分析与凝固层分离的杂质浓缩Ga中的杂质浓度，可以获得一种适合于制备化合物半导体的金属Ga。 | ||
| 申请公布号 | CN1284871C | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200410063792.3 | 申请日期 | 1999.10.27 |
| 申请人 | 同和矿业株式会社 | 发明人 | 山村武晴;加藤秀和;大神隆;田山喜志雄;奥田宽一 |
| 分类号 | C22B58/00(2006.01) | 主分类号 | C22B58/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
| 主权项 | 1.一种镓的纯化方法，该方法用于从含有杂质的镓原料中分离杂质，其特征在于，一边搅拌装在容器内的液体状态的镓原料，一边使筒状的凝固界面从该容器的内壁面朝着容器中央的方向逐渐缩径地进行凝固，并在容器内的全部原料凝固之前使存在于容器中央部分的液相与凝固相分离。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||