| 发明名称 | 包括金属绝缘体转换材料的晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种包括金属绝缘体转换材料的晶体管及其制造方法。所述包括金属绝缘体转换材料的晶体管包括：衬底；形成于所述衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上彼此分开形成的源极区和漏极区；分别形成于所述源极区和所述漏极区的表面上的隧穿势垒层；形成于所述隧穿势垒层和所述绝缘层上的金属绝缘体转换材料层；堆叠在所述金属绝缘体转换材料层上的介电层；以及形成于所述介电层上的栅电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN1862831A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200610081819.0 | 申请日期 | 2006.05.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵重来;柳寅儆;崔梁圭;赵成逸 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种包括金属绝缘体转换材料的晶体管，所述晶体管包括：衬底；形成于所述衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上彼此分开形成的源极区和漏极区；分别形成于所述源极区和所述漏极区的表面上的隧穿势垒层；形成于所述隧穿势垒层和所述绝缘层上的金属绝缘体转换材料层；堆叠在所述金属绝缘体转换材料层上的介电层；以及形成于所述介电层上的栅电极层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||