相变型光信息记录介质

摘要

提供一种具有下述结构的相变型光信息记录介质：其中相变型的信息记录层(3)和光透射的光传导保护层(4)顺序地层叠在支持基底(2)上，利用从所述光传导保护层(4)侧入射的激光的照射来记录和再现所述相变型光信息记录介质，其中所述信息记录层(3)由具有M_xSb_yTe_z (x、y和z分别是原子百分比(atom％))的组分的相变记录材料组成，其中满足下列公式：4≤y/z≤8和x+y+z＝100[atom％]，其中M是元素V、Nb、Ta、Ti、Ge或元素Ge和元素V、Nb、Ta和Ti中的任何一种的混合。因而，相变型光信息记录介质变得能够执行具有关于重写特性(DC擦除率)、重放稳定性和存储稳定性的优异特性的、高于两倍正常速度记录的记录。

主权项

1、一种具有下述结构的相变型光信息记录介质：其中相变型的信息记录层和光透射的光传导保护层顺序地层叠在支持基底上，利用从所述光传导保护层侧入射的激光的照射来记录和再现所述相变型光信息记录介质，其中所述信息记录层由具有MxSbyTez(x、y和z分别是原子百分比(atom％))的组分的相变记录材料组成，其中满足下列公式：4≤y/z≤8x+y+z＝100[atom％]并且元素M是由除元素Sb和Te之外的元素组成的、多于一种的添加元素。