| 发明名称 | 具L形源极区的功率半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明为一种具L形源极区的功率半导体器件，其结构包含：一衬底；一阱区，形成于该衬底内；一本体区，形成该阱区之上；一沟槽栅极，形成于该阱区的两侧，其中该沟槽栅极的侧壁及底面更具有一栅极氧化层；一L形源极区，其具有一平顶区及一直侧区，分别形成于该本体区的部分顶面及两侧；一电介质绝缘层，形成于该沟槽栅极区及部分该L形源极区之上，并定义有一接触窗；以及一金属层，形成于该电介质绝缘层、该本体区及该L形源极区之上，并经由该接触窗与该L形源极区连接，以形成该具L形源极区的埋入式沟槽栅极的功率半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1862830A | 申请公布日期 | 2006.11.15 |
| 申请号 | CN200510071202.6 | 申请日期 | 2005.05.13 |
| 申请人 | 达晶控股有限公司 | 发明人 | 曾军;孙伯益 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/772(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种具L形源极区的功率半导体器件，其包含：一衬底；一阱区，形成于该衬底内；一本体区，形成于该阱区之上；一沟槽栅极，形成于该阱区的两侧，其中该沟槽栅极的侧壁及底面还具有一栅极氧化层；一L形源极区，其具有一平顶区及一直侧区，分别形成于该本体区的部分顶面及两侧；一电介质绝缘层，形成于该沟槽栅极及部分该L形源极区之上，并定义有一接触窗；以及一金属层，形成于该电介质绝缘层、该本体区及该L形源极区之上，并经由该接触窗与该L形源极区连接，以形成该具L形源极区的功率半导体器件。 | ||
| 地址 | 开曼群岛乔治镇斯科帝亚中心4楼2804邮箱 | ||