发明名称 光电子器件集成
摘要 一种制造含有至少一个耦合到电子芯片上的顶有源器件的混合芯片的方法。该方法中顶有源器件和有电子芯片接触点的电子芯片结合,至少一些顶有源器件接触点和至少一些电子芯片接触点不对准,至少一些顶有源器件接触点的每一个接触点都有一个电气相应的电子芯片接触点。本方法包括生成侧壁,该侧壁在衬底的与第一侧面相对的第二侧面上的和第一侧面的有源器件接触点基本重合的这些点上界定开口,该侧壁从第一侧面上的有源器件接触点穿过该衬底延伸到衬底的第二侧面;使侧壁导电以形成从有源器件接触点到所述这些点之间的导电通路;和用位于有源光学器件芯片第二侧面的导电材料将所述这些点连接到和至少一些电子芯片接触点相应对准的位置。
申请公布号 CN1285098C 申请公布日期 2006.11.15
申请号 CN02813100.2 申请日期 2002.06.28
申请人 美莎诺普有限公司 发明人 格雷格·杜德夫;约翰·特雷泽
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L27/15(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 上海市华诚律师事务所 代理人 傅强国
主权项 1、一种将顶有源光学器件芯片和电子芯片结合在一起的混合芯片的制造方法,该顶有源芯片有一个衬底,该衬底包括一个第一侧面和位于该第一侧面上的顶有源器件上的有源器件接触点,该顶有源光学器件也都在该第一侧面上,该电子芯片有电子芯片接触点,当顶有源光学器件芯片和该电子芯片重叠时至少一些有源器件接触点和至少一些电子芯片接触点没有对准的时候,该至少一些有源器件接触点中的每一个接触点都有一个电气相应的电子芯片接触点,其特征在于,该方法包括:生成侧壁,该侧壁在衬底的与第一侧面相对的第二侧面上的和第一侧面的有源器件接触点基本重合的这些点上界定开口,该侧壁从第一侧面上的有源器件接触点穿过该衬底延伸到衬底的第二侧面;使侧壁导电以形成从有源器件接触点到所述这些点之间的导电通路;和用位于有源光学器件芯片第二侧面的导电材料将所述这些点连接到和至少一些电子芯片接触点相应对准的位置。
地址 美国新罕布什尔州